Влияние легирования цинком на свойства моп-структур часть 4

а) зонная диаграмма; б) распределение заряда; в) электрическое поле; г) потенциал. Где Q0t — эффективная поверхностная плотность этого заряда, приведенная к единице площади границы раздела Si-SiO2; r0t — истинная объемная плотность заряда, захваченного в окиси. Результирующий смещение напряжения плоских зон DVfb, обусловленный всеми компонентами зарфду в окиси DVfb = DVf + DVm + DV0t = Q0 / Ci где Q0 = Qf + Qm + Q0t — сумма эффективных, зарядов на единицу площади распределения Si-SiO2. В идеальной МДП-структуре разница работы выхода электрона из металла и полупроводника равна 0 jms = jm — (x + Eg / 2q-yb). Если эта разница отличная от 0, а кроме того, в диэлектрике МДП-структуры присутствует заряд Q0, С-V-характеристики реальной МДП-структуры будут сдвинуты вдоль оси напряжений относительно идеальной С — V — кривых на величину Vfb = jms — Q0 / Си = jms — (Qf + Qm + Q0t) / Ci что называется сдвигом напряжения плоских зон. Установлено, что ширина запрещенной зоны SiO2 примерно равна 9 эВ, а сродство к электрону qXi = 0.9 эВ. Работа выхода из металла в МОП-структурах | обычно определяется по результатам фотовидклику или вольт-фарадных характерик. Высота энергетического барьера на границе Si-SiO2 практически не зависит от кристаллической ориентации подложки (в пределах погрешности 0.1еВ) Разница работ выхода ms может составлять ощутимую меру наблюдаемого смещения напряжений плоских зон МОП-структуры, и поэтому ее необходимо учитывать при оценках величины фиксированного заряда окисла смещением С-V — характеристик. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур часть 4»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»