Механизированная приготовления растворов

Механизированная приготовления растворов Подготовка и обработка составляющих материалов раствора (гашения извести, пересеивание песка и т. п.) и его приготовления вручную очень трудоемкий и малопродуктивный процесс, на выполнение которого требуется большое количество малоквалифицированных рабочих. Поэтому эти работы выполняют механизировано с помощью соответствующих машин. Штукатурные растворы вручную приготавливают только для ремонтных или малых объемов штукатурных работ. гашения извести в небольших объемах осуществляют вручную, в деревянном ящике, в торце которого сделано отверстие, затянутое металлической сеткой. В других случаях это делают в вапногасны ках. В строительной практике чаще применяют вапногасникы марок СБ-29 или СМ-1247. Вапногасник CM — 1247 состоит из загрузочного бункера, тушильного барабана, сливного желоба, кли-нопасовои передачи и электродвигателя. Все детали смонтированы на наклонном металлическом каркасе 10. Угол уклона верхней плоскости каркаса составляет 6 — 8 °. Это сделано для того, чтобы известковое молоко самотеком стекало в яму. В комплекте с вапногасником поступает пульт управления с кабельной переноской. Барабан с двумя бандажами опирается на катки двух валов привода 11. Вращение катков, а значит и барабана, осуществляется с помощью клиноременной передачи 12 от электродвигателя 13.3 одной стороны барабана находится отверстие, через которое подается негаше — не известь в кусках величиной до 8 см и вода, разбрызгивается разбрызгивателем 3. Реагируя с водой, известь гасится. С противоположной стороны барабана сделано сетчатое дно 7, через которое проходит известковое молоко и по желобу 9 стекает в выкопанную в земле яму. Здесь же оборудован специальный люк 6 для периодического выгрузки отходов. Во время работы вапногас ника люк должен быть закрыт. При вращении барабана размещены в нем продольные гребни 4 с зубцами способствуют измельчению комков извести. Техническую характеристику вапногасникив представлены в табл. 1. Рис. 1. Вапногасник CM-1247 1 — кран; 2 — загрузочный бункер; 3 — разбрызгиватель воды; 4 — гребешки; 5 — тушильный барабан; 6 — люк для выгрузки отходов; 7 — сетчатое дно барабана; 8 — регулятор желоба; 9 — сливной желоб; 10 — каркас; 11 — вал привода с катками; 12 — клиноременной передачи; 13 — электродвигатель Таблица 1. Технические характеристики вапногасникив




Показатель Модель
СБ-29 СМ-1247
Производительность, т / ч
при гашении комовой извести 1,5 2
То же порошкообразной извести 2 3
Частота вращения барабана, с-1 0,11 0,2
Электродвигатель
мощность, кВт 2,8 2,2
частота вращения, с-1 23,7 23,8
напряжение, В 220/380 220/380
Габаритные размеры, мм
длина 3260 2500
ширина 1100 1140
высота 1225 1560
Масса, кг 1190 730

Для просеивания сыпучих зернистых заполнителей применяют грохоты, а для процеживания штукатурных и других растворов — вибросита. Инерционный грохот С-441 применяют для пересеивание песка и декоративных заполнителей в небольших объемах. Он состоит из щелевого подвижного сита, загрузочного бункера, эксцентрикового вала, клиноременной передачи и электродвигателя. Все детали грохота смонтированы на металлическом каркасе. При работе грохота электродвигатель с помощью клиноременной передачи и эксцентрикового вала передает ситу вибрувальни движения. При этом заполнитель, попадает на сито через загрузочный бункер, пересиюеться. Читать далее «Механизированная приготовления растворов»

Ионизация и радиоактивность в биосфере

Ионизация и радиоактивность в биосфере Объективные явления природы — ионизация и радиоактивность — всегда существовали и существуют в биосфере, но мы их не можем воспринять непосредственно нашими органами чувств. Лишь на рубеже XIX и ХХ вв. ученые впервые обнаружили их существование, а в наше время проблемы милитарной ядерной безопасности, безопасности АЭС стали глобальными проблемами человечества. Явление ионизации можно кратко определить как процесс разделения (преобразования) электрически нейтральных атомов в положительно заряженные ионы и свободные электроны, происходит под влиянием внешних энергетических факторов. Другими словами — это отрыв электрона (или электронов) от атома. Итак, по второму закону термодинамики такой процесс с поглощением энергии и увеличением энтропии (неупорядоченности системы атомов). Из последнего следует, что ионизация есть (в общем определении) негативным фактором воздействия на живую природу, что и обязывает нас рассмотреть это явление подробнее. Читать далее «Ионизация и радиоактивность в биосфере»

Назначение и классификация облицовочных работ. инструменты для плиточных работ часть 2

Устройство для разрезания плиток состоит из двух стержней 2, вдоль которых свободно передвигается ползун 4 с ограничителем 5. Нужное положение ползуна фиксируют винтом 3. На конце верхнего стержня устройства закреплено режущий валик 6 так, чтобы он мог свободно вращаться, а на конце нижнего — резиновый валик 7. Пользуясь таким устройством разрезают глазированные и стеклянные плитки. Молоток плиточника применяют для насечки керамической метлахской плитки вдоль намеченной линии перед преломлением ее, а также для пидрубання и откалывания выступающих частей плитки вдоль кромки после ее преломление. Масса молотка 70 — 80 г, длина 25 см. Для пробивки отверстий в глазированных плитках применяют молоток с заостренным концом в виде четырехгранной пирамиды или специальную развертку . Рис. 4. Инструменты для плиток: а — молотки плит очников; б — развертка; в — кусачки; г — клещи Для видломлювання частиц плитки (неровностей), которые остались вдоль линии раскола плитки, используют кусачки или клещи . архитектурные элементы плиточный облицовок Как пола, так и вертикальные поверхности могут облицовываться плитками различными по форме, размеру и цвету. Выбирая рисунок облицовки, следует учитывать размер помещения, его назначения, эстетические требования к цвету облицовки и тому подобное. На облицьованний поверхности стен различают следующие элементы облицовки: цоколь, поле облицовки, фриз и карниз. Они могут присутствовать все или выполнены в определенной комбинации. Цоколь, то есть нижний ряд плиток, выполняют из специальных фасонных (изогнутых) плиток, утолщенный или цветных плиток. Читать далее «Назначение и классификация облицовочных работ. инструменты для плиточных работ часть 2»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур часть 4

а) зонная диаграмма; б) распределение заряда; в) электрическое поле; г) потенциал. Где Q0t — эффективная поверхностная плотность этого заряда, приведенная к единице площади границы раздела Si-SiO2; r0t — истинная объемная плотность заряда, захваченного в окиси. Результирующий смещение напряжения плоских зон DVfb, обусловленный всеми компонентами зарфду в окиси DVfb = DVf + DVm + DV0t = Q0 / Ci где Q0 = Qf + Qm + Q0t — сумма эффективных, зарядов на единицу площади распределения Si-SiO2. В идеальной МДП-структуре разница работы выхода электрона из металла и полупроводника равна 0 jms = jm — (x + Eg / 2q-yb). Если эта разница отличная от 0, а кроме того, в диэлектрике МДП-структуры присутствует заряд Q0, С-V-характеристики реальной МДП-структуры будут сдвинуты вдоль оси напряжений относительно идеальной С — V — кривых на величину Vfb = jms — Q0 / Си = jms — (Qf + Qm + Q0t) / Ci что называется сдвигом напряжения плоских зон. Установлено, что ширина запрещенной зоны SiO2 примерно равна 9 эВ, а сродство к электрону qXi = 0.9 эВ. Работа выхода из металла в МОП-структурах | обычно определяется по результатам фотовидклику или вольт-фарадных характерик. Высота энергетического барьера на границе Si-SiO2 практически не зависит от кристаллической ориентации подложки (в пределах погрешности 0.1еВ) Разница работ выхода ms может составлять ощутимую меру наблюдаемого смещения напряжений плоских зон МОП-структуры, и поэтому ее необходимо учитывать при оценках величины фиксированного заряда окисла смещением С-V — характеристик. 1.3. геттерирования ДЕФЕКТОВ В ТЕХНОЛОГИИ полупроводников ВИХПРИЛАДИВ. Одной из важнейших задач полупроводниковой электроники является обеспечение высокой степени чистоты и совершенства кристаллической структуры полупроводниковых материалов, используемых для производства дискретных приборов и интегральных микросхем. Современная технология обеспечивает получение практически бездислокационных монокристаллов полупроводников. Но при этом резко возрастает роль точечных дефектов-вакансий, примесных атомов и их кластеров. При отсутствии дислокаций, что является стоком для точечных дефектов, в ходе технологического процесса изготовления приборов происходит постоянное увеличение концентрации вакансий и нежелательных примесей натрия, калия, меди, золота и др., В полупроводниковом материале. Наличие точечных дефектов и их кластеров приводит к ухудшению характеристик полупроводникового материала, деградации параметров приборов, способствует образованию структурных дефектов при термической обработке. Во избежание нежелательного воздействия точечных дефектов разработаны методы, позволяющие накапливать их в нерабочих участках пластин или вообще выводить их из пластин полупроводника. Процесс вывода и дезактивации дефектов принято называть геттерирования. Этот термин впервые введен Готцбергом и Шокли по аналогии с геттером в вакуумных лампах, который используется для снятия следов остаточных газов при получении высокого вакуума. В применении к полупроводниковой технологии в геттерирования понимают • очистку объема полупроводника от швидкодифундуючих примесей; • предупреждения образования центров зарождения структурных дефектов; • сокращения ранее созданных структурных дефектов путем направленного движения точечных дефектов. Для геттерирования дефектов необходимо обеспечить подвижность точечных дефектов, отсюда любой метод геттерирования включает термообработку, температура и продолжительность которой достаточно для диффузии точечных дефектов с областей пластины, где формируются приборы, в область гетера. Существующие методы могут быть условно разделены на три основные группы, в которых геттерирования осуществляется с помощью • слоя полупроводникового материала с нарушенной кристаллической структурой; • нанесенного гетеруючого слоя; • термообработки в специальной среде. Одним из методов термообработки в специальной среде является термическое окисление кремния в хлорсодержащие среде Известно, что добавление небольшого количества (0,1% ... 6%) хлора или его соединений в окисляющих атмосферу приводит к уменьшению заряда и дефектов в окиси, снижению плотности поверхностных состояний на границе раздела кремний-диоксид кремния, повышению пробивного напряжения и стабильности МОП-струкгур и т. д. Кроме улучшения свойства окиси при «хлорной» окислении происходит значительное улучшение свойств кремния, на несколько порядков увеличивается время жизни неосновных носителей, уменьшается количество дефектов упаковки, улучшаются параметры полупроводниковых приборов. Изучение механизма геттерирования при «хлорной» окислении показало, что улучшение параметров кремния и изготовленных из него приборов связано с нейтрализацией отрицательного влияния примесей щелочных, переходных и тяжелых металлов, которые, взаимодействуя с хлором, или изымаются из поверхности кремния в виде летучих соединений, или превращаются в нейтральные комплексы, уже не влияют на характеристики приборов. Примеси золота и металлов платиновой группы трудно гетеруються хлорсодержащие атмосферой, что, наверное, связано с термодинамической нестабильностью хлоридов при высоких температурах. Применение хлора и хлористого водорода при термическом окислении осложняется из-за высокой реакционной способности этих реагентов. Поэтому исследовалась возможность их замены другими, менее химически активными газами, например трихлорэтаном четыреххлористый углерод, трихлорэтилен, что по своему действию на окись подобные хлора или хлористого углерода. Самыми эффективными и безопасными в эксплуатации является трихлорэтан и трихлорэтилен. На рис.1.3.1. показана схема установки для окисления пластин с использованием трихлорэтилена. При высокой температуре трихлорэтилен распадается с образованием целого ряда продуктов: 4С2HCl3 + 9O2 2Н2О + 6Сl2 + 8CO2 2H2O + 2Cl24HCl + O2 Наличие воды в продуктах пиролиза трихлорэтилена приводит к увеличение скорости роста окиси, а присутствие хлора и хлористого водорода обеспечивает геттерирования примесей металлов. Экспериментально установлено, что окисление с добавками трихлорэтилена улучшает параметры МОП-структуры, снижает токи потерь диодов, уменьшает плотность и размер окислительных дефектов упаковки, причем увеличение концентрации трихлорэтилена приводит к уменьшению размеров дефектов упаковки, особенно заметному при высокой температуре окисления Рис. 1.3.1. Схема установки термического окисления кремниевых пластин 1 — пластины; 2-барботер; 3 — термостат; 4 — реакционная камера. . При определенном соотношении температуры окисления и концентрации трихлорстилену можно полностью избежать появления образования окислительных дефектов упаковки. Добавление небольшого количества трихлорэтилена позволяет погасить образования окислительных дефектов упаковки не только в процессе «хлорной» окисления, но и при следующем обычном окислении в сухом кислороде после снятия «хлорной» окиси. Это прямо указывает на то, что в процессе обработки в хлорсодержащие среде происходит геттерирования центров зарождения дефектов упаковки.

Весовая обработка сигналов и изображений в радиотехнических системах на основе атомарных функций часть 2

Использование новых ПФ в задачах оценивания случайных процессов на выходе РТС с широкой и узкой полосами пропускания с применением методов Бартлетта и Уэлча (с 50% — м перекрытием сегментов), а также алгоритма сглаживания показал, что в данных задачах целесообразно использовать в соответствии семьи АФ при п = 3 ... 10 и т = 1,2 и при а = 7 ... 10. Далее в разделе рассмотрены алгоритмы линейной и нелинейной фильтрации с использованием разработанных ПФ. На основе проведенного моделирования обоснована целесообразность применения окон на основе АФ семьи как линейных фильтров, а также нового окна Кравченко-Блэкмана-Хэррис в альфа-урезанном фильтре. Повышение результатов линейной фильтрации по суммарному критерию, который учитывает СМВ , СКВ и СН составляет минимум 7%, а для альфа-урезанного фильтра — не менее 4,5%. Проведен анализ рабочих характеристик системы защиты от пассивных помех, выявлено влияние ПФ на эти характеристики. Применением новых ПФ обеспечено снижение необходимого отношения интенсивности сигнала к мощности помех при заданной вероятности правильного обнаружения (таблица 1). В таблице 1 указаны снижение (в децибелах) для вероятности правильного обнаружения, что составляет 0,5 и одной из штатных вобуляций периодов зондирования импульсов в пачке. При получении данных считалось, что помеха имеет нормальное распределение с корреляционной функцией в виде функции Гаусса.








Таблица 1 Снижение ( в дБ) необходимой интенсивности сигнал в для задан й вероятности правильного обнаружения (0,5) при различных мощностях помех
Относительная мощность помехи, дБ 10 20 30 40 50 60
Использование штатного окна (мощность сигнала, дБ) 0 71 0,91 2,52 8,56 17,8 27,8
Использование нового окна (мощность сигнала, дБ) 0,713 0,84 1,88 6,672 15,5 25,2
Снижение, дБ, отношение сигнал / помеха -0,003 0,06 0,64 1,888 2,3 2,6

На рис. 11 показана зависимость правильного определения скоростных характеристик объекта при относительной мощности помехи 40 дБ и интенсивности сигнала 7,5 дБ. По оси абсцисс отложены отсчеты радиальной скорости (одному отсчета соответствует 5,688 м / с, то есть вся шкала занимает промежуток от 0 до 1138 м / с). Черной сплошной линией показано скоростные характеристики РЛС при использовании нового окна, штриховой — штатного окна. Читать далее «Весовая обработка сигналов и изображений в радиотехнических системах на основе атомарных функций часть 2»

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени В. Стефаника в 2002—2003 годах Недавно созданная Галицкая археологическая экспедиция Прикарпатского университета имени Василия Стефаника, руководителем которой стал доцент кафедры всемирной истории, кандидат исторических наук Б. П.Томенчук, а научным консультантом выступает член-корреспондент НАН Украины , доктор исторических наук, профессор В. Д. Баран. Экспедиция Прикарпатья течение нескольких лет плодотворно сотрудничает с отделом археологии Национального заповедника «Древний Галич», Институтом археологии и Институтом украиноведения имени И. Крипякевича НАН Украины, Ивано-Франковским краеведческим музеем. В составе экспедиции действуют два отряда — Галицкий, который возглавляет доцент Б. П.Томенчук и Трипольский, которым управляют старший преподаватель кафедры историографии и источниковедения И. Т.Кочкин. В течение полевых сезонов 2002 и 2003 годов исследования проводили оба отряда экспедиции. Деятельность Трипольского отряда Галицкой экспедиции. Летом 2002 года Трипольский отряд в составе Галицкой экспедиции Национального заповедника «Древний Галич» (руководитель экспедиции — заведующий отделом археологии заповедника — кандидат исторических наук Т. Ткачук) продолжил раскопки многослойного поселения Богородчаны и провел исследование поселения вблизи села Кремидов в Галицком районе. Исследование поселения в урочище Углы вблизи поселка Богородчаны Галицкого района были начаты Т. Ткачуком еще в 1999 году, в ходе которых было установлено, что достопримечательность заселялась неоднократно, начиная с новокаменного суток. Нижний слой поселения оставлен носителями культуры линейно-ленточной керамики периода неолита, слой трипольской культуры имеет два наслоения — среднего (Залищицкая группа) и позднего этапов (кошиловецька и ШИПИНЕЦКАЯ группы) развития культуры. Здесь встречаются также материалы ранней поры бронзового века (межановицька культура) и Киево-русского времени. На поселении Богородчаны этот раз было заложено два небольших по размерам раскопки. Одной из самых интересных находок полевого сезона была гончарная печь, остатки которой были найдены на глубине 0,65 м в северной части раскопа №1. Фрагменты ее пода с отверстиями — продухами имели толщину около 16 мм и лежали полукругом. Особенности залегания остатков печки указывают на ее принадлежность к кошиловецького жилья, исследованного В 1999г. В этом же раскопе также было открыто яму с материалами культуры линейно-ленточной керамики (размеры 3×3,5 м). В ее заполнении были найдены фрагменты столовой и кухонной посуды упомянутой неолитической культуры. Столовая посуда украшенный так называемым «нотной» орнаментом. Во втором раскопе, заложенном между раскопками, раскрытыми еще в 2000г., Объектов не было найдено, однако из культурных наслоений добыто фрагменты расписной посуды залищицкой (этап В-И-В-II) и ШИПИНЕЦКАЯ (этап С-И ) групп трипольской культуры. Проведенные в Болшовцы исследования позволили впервые на этой территории установить абсолютную хронологию неолитической слои (культуры линейно-ленточной керамики), трипольской слои этапа В-И-В-II (Залищицкая группа), а также несколько прояснить культурную ситуацию на левобережье Днестра на этапах С-I и С-II трипольской культуры. Вторую половину полевого сезона 2002 года Трипольский отряд посвятил исследованию многослойного поселения вблизи села Кремидов в Галицком районе. Поселения, расположенного на склоне холма в урочище Пиддивиче на левом берегу Гнилого потока, было найдено местным учителем Михаилом Кедики, который в течение многих лет проводил на нем сбор подъемного материала. Т. Ткачуку в находках учителя удалось определить фрагменты керамической посуды культуры линейно-ленточной керамики, а также залищицкой и кошиловецькои групп трипольской культуры. Это и повлекло перенос полевого лагеря экспедиции. Место расположения поселения неслучайно — здесь есть и источник воды, и залежи кремня в известняковых наслоениях Девичник горы. Исследование в Кремидов продолжались менее двух недель, поэтому размеры раскопа были незначительные — 6 х 10 м. Жилых объектов на исследованной области найти не удалось. На этой площади выявлено 6 разновременных ям. Ямы №№ 2, 3, 4, 5 оставили носители высоцкой культуры раннего железного века, ямы №№ 1, 6 — носители черняховской культуры. В наслоениях памятники также было найдено материалы культуры линейно-ленточной керамики (неолит), залищицкой и кошиловецькои групп Триполье (энеолит), межановицькои культуры (бронзовый век) и княжества (XI-XII вв.). Исследование поселений вблизи поселка Богородчаны и села Кремидов Галицкого района позволяют утверждать, что трипольские памятники существовали на Левобережье Верхнего Поднестровья и в конце этапа С-И, о чем говорят пизньошипинецьки материалы с Болшовцы, и на этапе С-II. Полевой сезона 2003 года Трипольский отряд провел в составе Прикарпатья экспедиции Института украиноведения НАН Украины и Прикарпатского университета, руководителем которой стал ведущий научный сотрудник отдела археологии упомянутого института, доктор исторических наук Л. Г.Мацкевий. Задачей экспедиции было комплексное исследование поселений открытого типа и пещерных памятников вблизи села Одаив Тлумацкого района. Эта территория известна своими пещерами тектонического и карстового происхождения, которые находятся на правом берегу Днестра. В окрестностях этого села уже проводили поисковые исследования О. Адаменко, В. Артюх, Б. Василенко, М. Клапчук, Л. Мацкевий, Б. Томенчук в 1973—1987 гг. Начиная с 1973 года. Здесь работали археологические экспедиции Института общественных наук АН УССР, (теперь Институт украиноведения имени И. Крипякевича НАН Украины (руководитель экспедиций Л. Г. Мацкевий), которые исследовали пещеры. Крем ' деревянные изделия верхнепалеолитического времени были обнаружены в пещере Одаив ХИ (Мнение), что в 2,5 км северо-западу от одноименного села, в урочище Думчина Долина. В галерее пещеры Дальней на пункте Одаив ХV, что находится на расстоянии 2,1 км к северо-западу от села, найдены кремневые орудия, керамическое грузило, обломки позднетрипольских посуды, кости, очевидно, крупного рогатого скота. По своим основным показателям Л. Мацкевий относит это место в категории временных поселений-тайников от вражеских нападений, других бедствий, однако это не исключает возможность ее использования в качестве святилища. В пещере Уютная-Бутиновича, в урочище Городище (Одаив ХVIII, 2,3 км северо-западнее села), в одной из галерей, найден скелет человека. Радиоуглеродный дата, полученная в Институте геологических наук НАН Украины — 510050 лет назад. В погребальном комплексе, который также относится к энеолита, есть обломки лепной посуды и кремневые изделия. В пещере Одаив ХVИ (Вертикальная), расположенной в 2,15 км северо-западнее села, в урочище Городище найдены обломки лепной посуды с шнуровым орнаментом, кремневые изделия и кости животных. Материалы раннего железного века (гальштатской культура) найдены на площадке перед гротом Монаха в урочище Городище (Одаив XII), в 1,8 км северо-западнее села, в пещере Стремительная (Одаив ХИV), за 2 , 05 км северо-западнее села, в пещере Дальний (Одаив XV), в ее ближний галереи. А в пещере Одаив ХVИИИ при раскопках обнаружено разрозненные скелеты людей, а также трупоположением с бронзовым ножом, кремневыми и костяными изделиями, керамическими сосудами, костями животных. Этот комплекс, что, очевидно, представляет остатки могильника, отнесено к голиградской группы фракийского гальштата.

Графическая модель работы участковой станции поездов часть 5

Письмо 25 Изм. Письмо. № докум. По д п. Дата






Расчет технологического времени на перестановку состава с ПВП на вытяжную путь свожу в таблицу, где указываю наименование и время, которое затрачивается на каждый напиврейс. Таблица №3







Напиврейс Перемещение Длина напиврейсу г. Норматив
от до а в
Заезд локомотива резервом вытяжная путь ГС путь ПВП 350 + 50 = 400 1,32  —
Извлечение ГС пути ПВП вытяжная путь 400 + 50 15 = 1150 2,40 0,078
= 3,72 = 0,078

Т пер = 3,72 + 0,078 50 = 7,62 8 мин. Расчет технологического времени на перестановку сформированного состава с сортировочного парка в ПВП свожу в таблицу. Таблица №4







Напиврейс Перемещение Длина напиврейсу г. Норматив
от до а в
Заезд локомотива резервом вытяжная путь ГС путь ПВП 450 + 50 = 500 1,44  —
Извлечение ГС пути ПВП вытяжная путь 500 + 50 15 = 1250 2,56 0,082
Перестановка вытяжная путь ГС пути ПВП 1250 2,56 0,082
= 6,56 = 0,164
Т пер = 6,56 + 0,164 50 = 14,7615 мин. Расчет времени на перестановку маневрового состава с сортировочного парка на вытяжной район свожу в таблицу.
5.100405.КП.26.3УПП2.10.03.03.ПО Письмо 24
Изм. Письмо. № докум. Читать далее «Графическая модель работы участковой станции поездов часть 5»

Изготовление мужского костюма и головного убора часть 2

(32,0 + 10,0) / 2 — 4,8 + 3,0 = 19,2

  1. Ширина брюк по линии сиденья на передней половинке
ССт + 1/10 ПССт = 47,0 + 0,4 = 47,4
  1. Ширина брюк по линии бедер на задней половинке
ССт + ПССт = 47,0 + 4,0 = 51,0
  1. Расчеты головного убора:
R 1 = обнажит / 2П = 56,0 / 2 * 3,14 = 9,0 R 2 = R 1 + Шпола = 9,0 + 8 0 = 17,0

Характеристика материалов
Характеристика материалов Таблица №2

№ п / о Название ткани Волокнистый состав Отделка Переплетение Назначение
1 Костюмная синтетическая ткань лавсан Меланжевое саржевое для верха
2. Искусственный гладевий шелк вискоза гладко окрашенные атласное для верха головного убора
3. Подкладочный синтетический шелк капрон гладко окрашенные полотняное для подложки
4. Клеевые бязь хлопок гладко окрашенные полотняное для прокладки
5 Нити хлопок, лавсан крашеные _________ для соединения деталей изделия
3.1 Режим ВТО Таблица №3

№ п / о Название ткани с волокнистым составом Температура нагрева в с Вес утюга, кг Давление пресса, кгс / см 2 Время выдержки, с % зволо — ние
пресс утюг пресс утюг
1 Лавсан 140 160 4 0,1 10 20 20
2. Капрон 120 130 15 0,01 10 10 10
3. Клеевые бязь 180 200 4-6 0,2 20 45 значительное
4. Вискоза 140 160 4 0,1 10 10 ______
Характеристика оборудования

Характеристика утюгов Таблица №4

Оборудование Предприятие изготовитель Марка (тип) Температура нагревателя, в С Время разогрева мин. Масса кг.
Паровой утюг «Паннония» (Венгрия) Cs-395 / 2 150 15 5
Електропарова утюг «Паннония» (Венгрия) Cs-392 100-200 10 3
Електропарова утюг Орловский машиностроительный завод УПП-ЗМ 100-240 10 3
Характеристика прессов Таблица № 5

Характеристика швейных машин Таблица №6

Оборудование. Предприятие изготовитель Класс машины Тип стежка Максимальная частота вращения главного вала, мин. Длины стежков, мм № игл № нитей Материалы , обрабатывающих Толщина пакета, мм Дополнительные данные
Универсальная машина ОЗЛМ 1022-М двухниточный челночный 4500 1,7-5 100 110 120 хлопчатобумажные №30-60 пальтовые шинельные, ткани из натуральных волокон и смешанные с синтетическими до 5 _____
Универсальная машина ОЗЛМ 597-М двухниточный челночный 4000 до 4,5 100 110 150 хлопок №30,40,50,60,80 шелковые №65 костюмные, пальтовые, ткани из натуральных и синтетических волокон до 5 ______
Универсальная швейная машина «Текстима» (Германия) 8332/2705 двухниточный челночный 4500 К 4,5 90, 100, 110 хлопчатобумажные, № 40, 50, 60, 80 пальтовые и костюмные ткани из натуральных волокон и смешанных с синтетическими. До 5 в машинах предусмотрена раздельная регуляция величины перемещения верхней зубчатой рейки
продолжение

продолжение

Специальная обметувальна машина ПМЗ 51-А двухниточный цепной обметувальний 3500 До 4 75-110 хлопчатобумажные, №30, 40, 50, 60, 70, 80 платье, костюмные, бельевые, рубашке до 4 ширина обметка — 6 мм
Специальная машина для виметування бортов, лацканов, воротников ОЗЛМ 2222 однониточный цепной 3000 2-12 130, 150 хлопчатобумажные № 30, 40, 50, 60 костюмные, пальтовые ткани до 6 _________
Специальная машина для подшил глазных работ ПМЗ 285 однониточный , цепной, скрытный 2600 2-7 75 90 хлопчатобумажные, № 80, 100, шелковые № 65 костюмные с натуральных и синтетических волокон до 5 _________
Полуавтомат для пришивания пуговиц 827 двухниточный челночный 1500 До 5 90, 100, 110, 120 хлопчатобумажные 30, 40, 50, 60 костюмные, пальтовые, платье ткани в 5 диаметр пуговицы 15-35 мм
Полуавтомат для изготовления петель с глазком "Минерва "(Чехия) 62761-р3Z двухниточный цепной с каркасной нитью 3200—2800 ____ 75, 90, 120 хлопчатобумажные, № 40-50, шелковые 33-65 костюмные пальтовые до 6 длина петли 13-35 мм
Полуавтомат для изготовления закрепок ОЗЛМ 220-М двухниточный челночный 1200 до 4 90 100 полиэстер ПЭ 100 шелковые №33, 65 пальтовые, костюмные, из натуральных, синтетических волокон до 5 большая закрепка: длина 7-16 мм ширина 2-3 мм имела закрепка длина 3-7 мм ширина 2-3 мм

Микропроцессорный ацп поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью калиброванного часть 2

МП представляют собой цифровые БИС, предназначенные для выполнения простых операций, иначе названных командами, считываются и осуществляются последовательно с большой скоростью. К числу внутренних схем МП относятся многоразрядные регистры, параллельные тракты данных буфера для подключения внешних устройств, многофункциональные схемы, логические схемы синхронизации и управления. Многофункциональные схемы предназначены для реализации простых арифметических и логических действий над двоичными числами, находящихся в регистрах процессора, и пересылок данных как внутри процессора, так и между ним и внешними устройствами. Схемы синхронизации и управления задают порядок действий процессора, для выполнения функций синхронизации им необходимы тактовые импульсы, постоянно поступают. Микропроцессорные средства используются в виде микропроцессорных комплектов интегральных микросхем, имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенных для совместного применения. Читать далее «Микропроцессорный ацп поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью калиброванного часть 2»

Микропроцессорный ацп поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью калиброванного

Министерство образования и науки Украины Винницкий национальный технический университет Институт информационных технологий и компьютерной инженерии Кафедра ВТ Пояснительная записка по дисциплине "Цифровые ЭВМ и микропроцессорные системы» в специализированный курсового проекта по специальности 7.160104 «Административный менеджмент в сфере защиты информации с ограниченным доступом» 08-23.ЦМ.004.00.000 ПО Микропроцессорный АЦП поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью калиброванного Руководитель курсовой работы «___» ____________2009 г... Разработал студент гр. АМЗ-04 _____________________ «___» ____________2009 г... Винница ВНТУ 2009 Министерство образования и науки Украины Винницкий национальный технический университет Институт информационных технологий и компьютерной инженерии УТВЕРЖДАЮ Зав. Кафедры ОТ проф., Д. т.н. _______________ А. Д. Азаров «___» _____________ 2007 ИНДИВИДУАЛЬНОЕ ЗАДАНИЕ на специализированный курсовой проект по дисциплине "Цифровые ЭВМ и микропроцессорные устройства " студенту _____________________ факультета КСМ группы 1 АМЗ-04 Сообщения: Микропроцессорный АЦП поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью калиброванного Разработать функциональную схему и алгоритм функционирования микропроцессорного АЦП поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью, что самокалибруеться. Обосновать тип микропроцессора, который можно использовать для калибровки характеристики преобразования. Функциональные возможности устройства: Работа в режиме режим основного преобразования аналог-код с программной коррекцией весов разрядов избыточного ЦАП; Разработка программы управления работой АЦП в заданном режиме. Дополнительные требования: число разрядов выходного двоичного кода АЦП N = 14; преобразовании в основном режиме; система счисления избыточного ЦАП — ИПСИ на основе золотой пропорции; число разрядов ЦАП N = 20; Срок сдачи студентом законченного проекта ______________________ Содержание пояснительной записки Введение Анализ технического задания. Разработка функциональной схемы. Выбор микроконтроллера и осмотр его архитектуры Выбор дополнительных элементов. Разработка общего алгоритма функционирования АЦП. Разработка функциональной схемы АЦП. Разработка программного обеспечения. Разработка алгоритма функционирования. Организация памяти и распределение адресного пространства. Разработка программы, управляющей работой микропроцессора. 4. Моделирование работы. Выводы. Литература. Графическая часть: Алгоритм функционирования АЦП. Граф-схема алгоритма. 3. Принципиальная схема устройства. Аннотация Данная работа посвящена разработке микропроцессорного АЦП поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью калиброванного. Проводится анализ условий и возможностей использования микропроцессора для управления работы АЦП, а также разработка функциональной схемы АЦП на базе микроконтроллера и программного обеспечения для функционирования ЦОП. В приложениях приводятся граф-схема алгоритма, листинги программ. Содержание Перечень условных сокращений Введение 1. Анализ технического задания 2. Разработка функциональной схемы

  1. Выбор микроконтроллера и осмотр его архитектуры
  2. Выбор дополнительных элементов
  3. Разработка общего алгоритма функционирования АЦП
  4. Разработка функциональной схемы АЦП

3. Разработка программного обеспечения

  1. Разработка алгоритма функционирования устройства
  2. Организация памяти и распределение адресного пространства
  3. Разработка программы , управляющая работой микропроцессора

4. Моделирование работы Выводы Перечень литературных источников Приложение А. Алгоритм функционирования АЦП Приложение Б. Алгоритм функционирования устройства Приложение В. Алгоритм подпрограммы подготовки Перечень условных сокращений АК-аналоговый коммутатор АЛУ-арифметико-логическое устройство АЦП-аналого-цифровой преобразователь БДС-блок вспомогательных сигналов БК-блок управления БП-блок памяти БПВ — блок поразрядного уравновешивания БИС-большая интегральная схема ЭВМ электронно-вычислительная машина МЗР-младший значащий разряд МК — микроконтроллер МП-микропроцессор ИПСИ-избыточная позиционная система счисления ОЗУ-оперативное запоминающее устройство ПВЗ-усилитель вибирання — хранения ПЗУ-постоянное запоминающее устройство РПН-регистр последовательного приближения САЦП-АЦП, самокалибрующихся СВР-старший значимый разряд СП-схема сравнения ЦАП-цифро-аналоговый преобразователь ЦОП-цифровой вычислительное устройство Введение За последнее десятилетие в мире создано более сотни типов АЦП, отличающихся по функциональному составу и назначению, конструктивным, электрическим и эксплуатационным характеристикам. Известно их применения совместно с МП и микро ЭВМ в составе устройств сопряжения между объектами и интерфейсом, а также использования в качестве самостоятельных функциональных элементов в узлах и блоках. Современный этап характеризует большие и сверхбольшие интегральные схемы АЦП, обладающих высокими эксплуатационными параметрами: быстродействием, малыми погрешностями, багаторозряднистю. АЦП находят широкое применение в различных областях современной науки и техники. Они являются неотъемлемой частью цифровых измерительных приборов, систем преобразования и отображения информации, программируемых источников питания, индикаторов на электронно-лучевых трубках, радиолокационных, установок для контроля элементов и микросхем, а также важными компонентами различных автоматических систем контроля и управления, устройств ввода / вывода информации ЭВМ. На их основе строят преобразователи и генераторы практически любых функций, аналоговые регистрирующие устройства, корреляторы, анализаторы спектра и т. д. Большие перспективы использования быстродействующих преобразователей в телеметрии и телевидении. Несомненно, серийный выпуск малогабаритных и относительно дешевых АЦП еще более усилит тенденцию проникновения метода дискретно-непрерывного преобразования в сферу науки и техники. Читать далее «Микропроцессорный ацп поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью калиброванного»

© 2019