Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени В. Стефаника в 2002—2003 годах Недавно созданная Галицкая археологическая экспедиция Прикарпатского университета имени Василия Стефаника, руководителем которой стал доцент кафедры всемирной истории, кандидат исторических наук Б. П.Томенчук, а научным консультантом выступает член-корреспондент НАН Украины , доктор исторических наук, профессор В. Д. Баран. Экспедиция Прикарпатья течение нескольких лет плодотворно сотрудничает с отделом археологии Национального заповедника «Древний Галич», Институтом археологии и Институтом украиноведения имени И. Крипякевича НАН Украины, Ивано-Франковским краеведческим музеем. В составе экспедиции действуют два отряда — Галицкий, который возглавляет доцент Б. П.Томенчук и Трипольский, которым управляют старший преподаватель кафедры историографии и источниковедения И. Т.Кочкин. В течение полевых сезонов 2002 и 2003 годов исследования проводили оба отряда экспедиции. Деятельность Трипольского отряда Галицкой экспедиции. Читать далее «Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника»

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени В. Стефаника в 2002—2003 годах Недавно созданная Галицкая археологическая экспедиция Прикарпатского университета имени Василия Стефаника, руководителем которой стал доцент кафедры всемирной истории, кандидат исторических наук Б. П.Томенчук, а научным консультантом выступает член-корреспондент НАН Украины , доктор исторических наук, профессор В. Д. Баран. Экспедиция Прикарпатья течение нескольких лет плодотворно сотрудничает с отделом археологии Национального заповедника «Древний Галич», Институтом археологии и Институтом украиноведения имени И. Крипякевича НАН Украины, Ивано-Франковским краеведческим музеем. В составе экспедиции действуют два отряда — Галицкий, который возглавляет доцент Б. П.Томенчук и Трипольский, которым управляют старший преподаватель кафедры историографии и источниковедения И. Т.Кочкин. В течение полевых сезонов 2002 и 2003 годов исследования проводили оба отряда экспедиции. Деятельность Трипольского отряда Галицкой экспедиции. Читать далее «Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур часть 3, ремонт под ключ и дизайн квартир

— длина вертикальных заземлителей l = 2 5 м; — расстояние между вертикальными заземлителями а = 2 0 м; — глубина прокладки заземления в почве b = 0 7 м. 2. Расчетное сопротивление грунта где Y = 1 32 — коэффициент сезонности. r p3 = 1. 32 40 = 52. 8 Омм 3. Сопротивление растекания тока в земле одного вертикального заземления Z = h + l / 2 = 0. 7 + 2. 5/2 = 1 95 м — расстояние от поверхности земли до середины вертикального заземления 4. Необходимое количество вертикальных электродов: n = RB / (RH n) n — 0. 45 — коэффициент экранирования. n = 16. 32 / (4 0. 45) = 9 0 шт. 5. Длина горизонтального заземлителя R Г , соединяющая вертикальные заземлители L = а ( n — 1) L = 2 (9 — 1) = 16 метров. 6. Сопротивление горизонтального заземлителя К, проложенного на глубине h = 0 7 м от поверхности земли: Ом. 7. Общее сопротивление заземляющего устройства где n B = 0 5 коэффициент использования вертикального заземления ; n Г = 0 6- коэффициент использования горизонтального заземлителя. Ом. Сопротивление защитного заземления удовлетворяет требованиям ПУЭ. Расчет заземляющего устройства





Удельное сопротивление грунта r Омм 40
Диаметр вертикального заземления d m 0. 016
Ширина полосы горизонтального
заземления b г. 0. 025
Расстояние между вертикальными
заземлителями а г. 2
Длина вертикальных заземлителей 1 m 2. 5
Глубина прокладки заземления h г. 0. 7
Коэффициент сезонности y 1 32
Коэффициент экранирования n e 0 . 45
коэф. использование вертикаль. заземления n в 0. 5
коэф. использование гориз. заземления n г 0 6
Расстояние от поверхности земли
в середине вертикального заземления Z m 1 95
Сопротивление растекания тока в земле
одного вертикального заземления R в Ом 15. 4823
Необходимое количество
вертикальных электродов n шт 9
Необходимая длина
горизонтальных заземлителей L г. 16
Сопротивление горизонтального
заземлителей R г Ом 2. 99016
Общее сопротивление
Заземляющий устройства R Ом 2. 03537

Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур часть 3, ремонт под ключ и дизайн квартир»

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени В. Стефаника в 2002—2003 годах Недавно созданная Галицкая археологическая экспедиция Прикарпатского университета имени Василия Стефаника, руководителем которой стал доцент кафедры всемирной истории, кандидат исторических наук Б. П.Томенчук, а научным консультантом выступает член-корреспондент НАН Украины , доктор исторических наук, профессор В. Д. Баран. Экспедиция Прикарпатья течение нескольких лет плодотворно сотрудничает с отделом археологии Национального заповедника «Древний Галич», Институтом археологии и Институтом украиноведения имени И. Крипякевича НАН Украины, Ивано-Франковским краеведческим музеем. В составе экспедиции действуют два отряда — Галицкий, который возглавляет доцент Б. П.Томенчук и Трипольский, которым управляют старший преподаватель кафедры историографии и источниковедения И. Т.Кочкин. В течение полевых сезонов 2002 и 2003 годов исследования проводили оба отряда экспедиции. Деятельность Трипольского отряда Галицкой экспедиции. Читать далее «Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника»

Назначение и классификация облицовочных работ. инструменты для плиточных работ часть 2

Устройство для разрезания плиток состоит из двух стержней 2, вдоль которых свободно передвигается ползун 4 с ограничителем 5. Нужное положение ползуна фиксируют винтом 3. На конце верхнего стержня устройства закреплено режущий валик 6 так, чтобы он мог свободно вращаться, а на конце нижнего — резиновый валик 7. Пользуясь таким устройством разрезают глазированные и стеклянные плитки. Молоток плиточника применяют для насечки керамической метлахской плитки вдоль намеченной линии перед преломлением ее, а также для пидрубання и откалывания выступающих частей плитки вдоль кромки после ее преломление. Масса молотка 70 — 80 г, длина 25 см. Для пробивки отверстий в глазированных плитках применяют молоток с заостренным концом в виде четырехгранной пирамиды или специальную развертку . Рис. 4. Инструменты для плиток: а — молотки плит очников; б — развертка; в — кусачки; г — клещи Для видломлювання частиц плитки (неровностей), которые остались вдоль линии раскола плитки, используют кусачки или клещи . архитектурные элементы плиточный облицовок Как пола, так и вертикальные поверхности могут облицовываться плитками различными по форме, размеру и цвету. Читать далее «Назначение и классификация облицовочных работ. инструменты для плиточных работ часть 2»

Законы термодинамики и термодинамические величины (функции) системы

В связи с отсутствием описания сайта на основе публикаций, у нас не было другого выбора, как самим протестировать найдены сайты и найти в них общие элементы, которые и будут считаться рекомендованными к использованию. Начнем с главной страницы. На каждом сайте, если характеризовать сверху вниз, присутствовала изначально картинка заголовок сайта, которая включала в себя URL-адрес и полное название сайта. Далее страница разбивалась условно на три поля, где слева и справа находилась общая информация, а по центу шло именно тематическое наполнение (текст и иллюстрации). Отличаются наши два сайта тем, что на MyRobot. ru к общей информации относились навигация, меню, дружественные сайты, голосования и реклама, а на относились короткие пометки о статьях, уже состарились так, чтобы их не держать по центру, но еще остаются относительно свежими. Все вопросы, связанные с информацией о проекте и др., В них решает меню, которая идет сразу же после картинки заголовка. Недостатки, которые сразу можно охарактеризовать, на это слишком мелкий шрифт, что значительно ухудшает чтения, и однообразные описания событий, значительно ухудшает восприятие прочитанного. Читать далее «Законы термодинамики и термодинамические величины (функции) системы»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур часть 2

5.1. 6 . Анализ сетевого графика и его оптимизация. Одним из первых шагов анализа построенного графика является просмотр топологии сети. При этом проверяется нумерация событий, установ-ся целесообразность выбора работ и структуры сети. Наряду с установ-лением лишних работ и проверкой целесообразности установленного уровня детализации должно рассматриваться вопрос о возможности параллель-ного производства работ, исходя из особенностей запланированного процесса и количества рабочих. Следующим шагом анализа сетевого графика производится его оптимизация. При этом решаются задачи по выявлению возможностей лучшего распределения трудовых видов ресурсов. После достижения необходимого срока разработки проводится оптимизация распределения ресурсов. Анализ календарного графика и диаграммы загрузки исполнителей показал на целесообразность дальнейшей оптимизации сетевого графика. Оптимизация проведена за счет использования свободных резервов времени (Rвij) путем их замены на рабочее время или частичной замены (разделения резерва). Результаты оптимизации диаграммы загрузки исполнителей приведены на рис. 2. 5.2. Определение затрат на выполнение НИР. Затраты на выполнение НИР разделяют на капитальные и текущие. 5.2.1. Капитальные затраты Таблица 5. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур часть 2»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»