Назначение и классификация облицовочных работ. инструменты для плиточных работ часть 2, премиальные туалеты

Устройство для разрезания плиток состоит из двух стержней 2, вдоль которых свободно передвигается ползун 4 с ограничителем 5. Нужное положение ползуна фиксируют винтом 3. На конце верхнего стержня устройства закреплено режущий валик 6 так, чтобы он мог свободно вращаться, а на конце нижнего — резиновый валик 7. Пользуясь таким устройством разрезают глазированные и стеклянные плитки. Молоток плиточника применяют для насечки керамической метлахской плитки вдоль намеченной линии перед преломлением ее, а также для пидрубання и откалывания выступающих частей плитки вдоль кромки после ее преломление. Масса молотка 70 — 80 г, длина 25 см. Для пробивки отверстий в глазированных плитках применяют молоток с заостренным концом в виде четырехгранной пирамиды или специальную развертку . Рис. 4. Инструменты для плиток: а — молотки плит очников; б — развертка; в — кусачки; г — клещи Для видломлювання частиц плитки (неровностей), которые остались вдоль линии раскола плитки, используют кусачки или клещи . архитектурные элементы плиточный облицовок Как пола, так и вертикальные поверхности могут облицовываться плитками различными по форме, размеру и цвету. Выбирая рисунок облицовки, следует учитывать размер помещения, его назначения, эстетические требования к цвету облицовки и тому подобное. На облицьованний поверхности стен различают следующие элементы облицовки: цоколь, поле облицовки, фриз и карниз. Они могут присутствовать все или выполнены в определенной комбинации. Цоколь, то есть нижний ряд плиток, выполняют из специальных фасонных (изогнутых) плиток, утолщенный или цветных плиток. Поле облицовки делают из белых или цветных однотонных плиток. Фриз может быть выполнен из цветных или узорчатых плиток в один или два ряда. Читать далее «Назначение и классификация облицовочных работ. инструменты для плиточных работ часть 2, премиальные туалеты»

Назначение ск-м-24; ск-д-24 в телевизорах 4 поколения. характерные неисправности и их устранение

Повреждение СК-Д-24-2 методы их поиска и устранения





Обязательные операции Нормальные показатели Возможны отклонения Метод поиска и устранения неисправностей
Снять с неисправного селектора защитные кри-шки, визуально проверить нет ли дефектов монтажа. Проверить омметром отсутствие короткого замыкания на корпус контактов — 3,4,5 соединителя Х1 (А1) 2. Подать на антенный вход ДМВ сигнал с ВЧ устройства. Закрыть видремонто ваний селектор каналов защитной крышкой. 1. Монтаж обрывов и замыканий, радиоэлементы не имеют повреждений. 2. Контакты — 3,4,5 не запирают на корпус. На входе селектора есть сигнал. Закрепленная крышка плотно прилегает к корпусу селектора. На плате видео обрывы и замыкания проводников, есть элементы с повреждениями. Нет сигнала на выходе селектора. 2. Малое усиление. Крышка закреплена ненадежно. Выход для подстройки выходного контура закрыто крышкой. Устранение дефектов монтажа, неисправные элементы заменить. Проверить исправность транзистора VT1 измерить напряжение на эмиттере которая должна быть выше, чем на базе, примерно 0.3 — 0.4В. Если неисправен один из варикапов настройка тракта ВЧ невозможна. Проверить исправность варикапов: VD2; VD3; VD4. Расстроенный тракт ПЧ и ВЧ. Читать далее «Назначение ск-м-24; ск-д-24 в телевизорах 4 поколения. характерные неисправности и их устранение»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Мучные кондитерские изделия (рефера)

Реферат Мучные кондитерские изделия Введение Мучные кондитерские изделия являются не отличающейся частью украинской кухни. Они имеют большое значение в питании человека. В современных условиях наряду с обеспечением высокого качества кондитерских изделий выдвигается настоятельная необходимость в расширении и обновлении их ассортимента. В поисках новых вкусовые свойства изделий, кроме внедрения новых оригинальных рецептов, можно применять различные сочетания уже существующих н / ф и сырья. Изделия из теста высококалорийные благодаря содержанию углеводов, жиров, белков, минеральных веществ и витаминов группы В, РР. А. Центральное место в кондитерском цехе принадлежит Кондору. От его квалификации, профессиональных навыков зависит качество изделий. Каждый кондитер должен иметь такие вкусовые ощущения и хорошее чувство запаха, умело сочетать вкусовые вещества в различных пропорциях для обеспечения приятного вкуса и аромата изделий. Также он должен помнить о санитарно-гигиенический режим его работы, весь инвентарь должен перед работой быть помыт и защищен от бактериального воздуха. Потому что от него зависит здоровье людей, которым он предлагает свои изделия. Кондитер при работе на любом кондитерском производстве должно также уметь самостоятельно класть рецептуру и технологическую карту тех или иных изделий, отрабатывать над разработкой и внедрением новых рецептов. Пояснительная часть 2.1. Читать далее «Мучные кондитерские изделия (рефера)»

Мотивационный потенциал персонала в контексте реализации требований международного стандарта

Мотивационный потенциал персонала в контексте реализации требований международного стандарта управления качеством ISO 9001 Для выхода отечественной продукции на международный рынок все больше украинских компаний внедряют и сертифицируют в себя системы управления качеством в соответствии с требованиями международного стандарта ISO 9001 "Система менеджмента качества. Требования ", ведь когда в 1987 Международная организация по стандартизации принимала эти стандарты, то провозгласила их в качестве стратегии устранения препятствий свободной торговли. Стандарт ISO 9001 базируется на восьми принципах менеджмента: • ориентация на потребителя; • лидерство; • привлечение работников; • подход с позиций процесса; • системный подход к менеджменту; • постоянное совершенствование; • подход к принятию решений на основе фактов; • взаимовыгодные отношения с поставщиками. Цель внедрения требований этого стандарта — получение конечного продукта, который бы удовлетворял требования потребителя, но объектом управления, прежде всего, становятся сотрудники. Поэтому на практике особое место в реализации восьми принципов менеджмента занимает привлечения работников профессионально выполняют свои обязанности и может наслаждаться-нет достигать цели организации, а именно, производить продукцию надлежащего качества. Работник однозначно должен видеть свое участие в реализации стратегии развития организации, осознавая зависимость от ее успеха своего благосостояния и личного прогресса. Читать далее «Мотивационный потенциал персонала в контексте реализации требований международного стандарта»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур, купить мультиметр киев

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур, купить мультиметр киев»

Мотивационный потенциал персонала в контексте реализации требований международного стандарта часть 2

Сама технология обнаружения этих факторов для каждого работника связана со специальным тестированием. Тест предложен Ричи Ш., Мартин П. в учебном пособии «Управление мотивацией». Когда работник отвечает на вопросы этого теста, он выражает свое мнение по поводу того, какой из приведенных выше факторов для него значимым другого из-за количества баллов. Результаты опроса можно выразить диаграммой. Для осуществления следующего этапа нужно выявить в ходе опроса степень удовлетворенности потребностей работников для каждого фактора. Для этого можно предложить степень удовлетворенности фактора разместить на шкале от 0 до 1 с шагом 0,1. При этом значение 0 — соответствует определению вполне недоволен, а 1 — вполне доволен. Для дальнейшего анализа, необходимые баллы, полученные в ходе специального тестирования, также перевести на шкалу от 0 до 1. Для этого максимальный балл принимается за 1, а остальные определяются через отношение к нему (см. Табл. 2) Таблица 2. Квалиметрические значение значимости факторов и их удовлетворенности














Номер фактора 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Значимость фактора (Ф) 0,7 0,3 0,3 0,7 0,4 0,9 0,9 0,7 0,9 0,8 1,0 0,8
Степень удовлетворенности © 0,5 1,0 1,0 1,0 1,0 0,7 0,7 1,0 0,5 0,5 0,6 0,9

Читать далее «Мотивационный потенциал персонала в контексте реализации требований международного стандарта часть 2»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Микропроцессорный ацп поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью калиброванного

Министерство образования и науки Украины Винницкий национальный технический университет Институт информационных технологий и компьютерной инженерии Кафедра ВТ Пояснительная записка по дисциплине "Цифровые ЭВМ и микропроцессорные системы» в специализированный курсового проекта по специальности 7.160104 «Административный менеджмент в сфере защиты информации с ограниченным доступом» 08-23.ЦМ.004.00.000 ПО Микропроцессорный АЦП поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью калиброванного Руководитель курсовой работы «___» ____________2009 г... Разработал студент гр. АМЗ-04 _____________________ «___» ____________2009 г... Винница ВНТУ 2009 Министерство образования и науки Украины Винницкий национальный технический университет Институт информационных технологий и компьютерной инженерии УТВЕРЖДАЮ Зав. Кафедры ОТ проф., Д. т.н. _______________ А. Д. Азаров «___» _____________ 2007 ИНДИВИДУАЛЬНОЕ ЗАДАНИЕ на специализированный курсовой проект по дисциплине "Цифровые ЭВМ и микропроцессорные устройства " студенту _____________________ факультета КСМ группы 1 АМЗ-04 Сообщения: Микропроцессорный АЦП поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью калиброванного Разработать функциональную схему и алгоритм функционирования микропроцессорного АЦП поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью, что самокалибруеться. Обосновать тип микропроцессора, который можно использовать для калибровки характеристики преобразования. Функциональные возможности устройства: Работа в режиме режим основного преобразования аналог-код с программной коррекцией весов разрядов избыточного ЦАП; Разработка программы управления работой АЦП в заданном режиме. Дополнительные требования: число разрядов выходного двоичного кода АЦП N = 14; преобразовании в основном режиме; система счисления избыточного ЦАП — ИПСИ на основе золотой пропорции; число разрядов ЦАП N = 20; Срок сдачи студентом законченного проекта ______________________ Содержание пояснительной записки Введение Анализ технического задания. Разработка функциональной схемы. Выбор микроконтроллера и осмотр его архитектуры Выбор дополнительных элементов. Разработка общего алгоритма функционирования АЦП. Разработка функциональной схемы АЦП. Разработка программного обеспечения. Разработка алгоритма функционирования. Читать далее «Микропроцессорный ацп поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью калиброванного»

Микропроцессорный ацп поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью калиброванного часть 2

МП представляют собой цифровые БИС, предназначенные для выполнения простых операций, иначе названных командами, считываются и осуществляются последовательно с большой скоростью. К числу внутренних схем МП относятся многоразрядные регистры, параллельные тракты данных буфера для подключения внешних устройств, многофункциональные схемы, логические схемы синхронизации и управления. Многофункциональные схемы предназначены для реализации простых арифметических и логических действий над двоичными числами, находящихся в регистрах процессора, и пересылок данных как внутри процессора, так и между ним и внешними устройствами. Схемы синхронизации и управления задают порядок действий процессора, для выполнения функций синхронизации им необходимы тактовые импульсы, постоянно поступают. Микропроцессорные средства используются в виде микропроцессорных комплектов интегральных микросхем, имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенных для совместного применения. Микропроцессорный комплект помимо самого МП содержит микросхемы, поддерживающие функционирование МП и расширяют его логические возможности. МК представляет собой логический автомат с высокой степенью детерминированности, который допускает немного вариантов в его системном включении. В устройствах управления объектами МК рассматриваются в виде совокупности аппаратно-программных средств. При проектировании схем на базе МК нужна реализация оптимального распределения функций между аппаратными средствами и программным обеспечением. Читать далее «Микропроцессорный ацп поразрядного уравновешивания с весовой избыточностью калиброванного часть 2»