Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Автоматизированная система управления технологическими процессами сушки древесины с использованием пк часть 4

К автоматизации в процессе сушки было задействовано 3 рабочих, а после автоматизации 1. Средний разряд рабочих, обслуживающих сушку до автоматизации и после автоматизации — 4. По данным предприятия часовая тарифная ставка четвертого разряда — 1.42 грн. Итак, годовой фонд заработной платы составлял к автоматизации 1722 1.42 3 = 7.335 (тыс. Грн.) после автоматизации 1722 1.42 1 = 2.445 (тыс. грн.) Экономия составляет: 4.89 тыс грн . Таблица 10.3.4. Сводный расчет факторов влияния на себестоимость продукции.






№ п / п Изменяемые расходы себестоимости Расходы, тыс. грн. Изменение%
К автоматизации После автоматизации
1 2 3 4 5
1 Амортизация основных фондов 0.1 0.7 700
2 Текущий ремонт 0.03 0.21 700
3 Электроэнергия на технологические нужды 13.41 11.51 85.8
4 Зарплата работников 7.335 2.445 33.3
5 Отчисления на социальное страхование 2.7 0.9 0.3
Общее производственные расходы 2.9 1.0 34.5
1 2 3 4 5
Вместе 26.48 16.77 63.3
План производства продукции 7000 7680 109
Себестоимость единицы продукции по изменяемых затратах 0.002 0.001 50

Примечание: Общепроизводственные расходы составляют 40-45% от фонда зарплаты. 10.4. Расчет экономической эффективности от автоматизации производства Определяем условную-годовую экономию, достигнутую за счет снижения себестоимости продукции: Е ум. р. = (С 1 — С 2) В = (0.002 — 0.001) 7680 = 7.7 (тыс. Грн.) (10.4.1.) где Еум. р — экономия условно-летняя (тыс. Грн.); С1 — себестоимость единицы продукции в автоматизации, (руб.); С2 — себестоимость единицы продукции после автоматизации, (руб.); В — годовой выпуск продукции после автоматизации (натуральные единицы). Определяем срок окупаемости затрат: Ток. = В / Е ум. г... = 7.6 / 7.68 = 1.01 (годы) (10.4.2.) где Т ок — срок окупаемости, (года); В — потратить на проведение автоматизации (тыс. Грн.); Е ум. р — экономия условно-летняя (тыс. Грн.) Рассчитываем коэффициент экономической эффективности К = Е ум. г... / В = 7.7 / 7.6 = 1.01 (10.4.3.) К = 1 / Т ок = 1 / 1.01 = 0.9 (10.4.4.) Читать далее «Автоматизированная система управления технологическими процессами сушки древесины с использованием пк часть 4»

Автоматизированная система управления технологическими процессами сушки древесины с использованием пк часть 2

6.4. Принцип работы системы В любом режиме работы системы, если включен контроллер С7-613, производится измерение температуры агента сушки по сухим (Тс) и увлажненным (Тз) термометрами, то есть с помощью термопреобразователей сопротивления ТСП 1088 и смачивающей системы реализован принцип дистанционного психрометра. В контроллере рассчитывается Психрометрический разница (Δ Т = Тс-Тз) и по алгоритму Психрометрический таблицы в зависимости от температуры (по сухому термометру) и Психрометрический разницы выбирается значение относительной влажности агента сушки FI. По эмпирическим формулам рассчитывается значение равновесной влажности древесины Wp. В любом режиме работы системы с помощью измерителя влажности древесины ИВ-3 (изготовитель УкрНДИМОД), работающий по принципу изменения омического сопротивления в зависимости от влажности древесины, выполняется текущее дистанционное измерение влажности в четырех штабелях сушилки. Для этого в плоскость доски на глубину 1/3 ее толщины на расстоянии 10 мм вкручиваются два шурупа так, чтобы электрический ток проходил вдоль волокон. Шурупы с помощью электрических проводников соединены с измерительной схемой. Таким образом, путем переключения система поочередно получает информацию о текущих влажность древесины в штабелях. При этом рассчитывается среднее значение по количеству датчиков, выбранных для контроля (максимально 4 шт.). Читать далее «Автоматизированная система управления технологическими процессами сушки древесины с использованием пк часть 2»

Автоматизированная система управления технологическими процессами сушки древесины с использованием пк часть 5

Суть предложения заключается в особых принципах построения измерительно-информационного канала между объектом контроля и оператором (или компьютером автоматической системы управления). Этот канал включает в себя измерительные электроды или импедансный (емкостной, резистивный, индуктивный) датчик, с помощью которого параметр объекта контроля, измеряется, превращается в пассивную или активную электрическую величину, электронный мостовой измерительный блок, а также микропроцессорный контроллер для управления процессором измерения, математической обработки, передачи и регистрации полученной информации. Структура измерительно-информационного канала, алгоритм его работы, аппаратное и программное обеспечение являются унифицированными. Это позволяет осуществлять разработку на одной технологической базе, при минимальных аппаратных и программных модификациях, широкую гамму приборов различного назначения для использования с большинством существующих датчиков. Унификация и универсальность аппаратных и программных средств обеспечивает высокую серийноздатнисть и дешевизну разрабатываемой по данной технологии контрольно-измерительных приборов и информационно-измерительных систем, благодаря использованию измерительных сигналов переменного тока, формируемых и обрабатываемых с помощью цифровых и аналого-цифровых методов. Преимуществом предлагаемых технологий также: более высокая точность измерений, возможность удаленного подключения датчиков, применение дешевых электронных компонентов. Также положительной чертой компьютерного управления является то, что может работать в различных режимах, таких как:

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Автоматизированная система управления технологическими процессами сушки древесины с использованием пк часть 3

Определить породу древесины, измерить геометрические размеры пиломатериала, определиться с требованиями к категории качества сушки, задать конечную влажность древесины Wк. На основании производственного опыта или согласно рекомендациям стандарта ГОСТ 19773-84 «Режимы сушки в камерах периодического действия» определить режимные параметры агента сушки, время прогрева, время промежуточной, конечной вологотеплообробкы и выдержки. Определиться с коэффициентом сушки: задать новые, исходя из опыта сушки в конкретной камере, или принять расчетные, определяемых автоматически контроллером. Вышеуказанные исходные данные и режимные параметры ввести в контроллер с ОС или с помощью текстовой панели С7-613 так, как это описано выше.

  1. Подготовка операционной системы к работе

Первым этапом в подготовке операторской станции к работе является настройка операционной системы. Для правильной работы пpиклaднoгo пpoгрaмногo обеспечение i эффективного отображения мнемонических схем необходимо установить следующие параметры:

  • разделительная разрешение 1024 на 786 точек;
  • цветовая палитра «True Color»;
  • формат короткого представления даты «ДД. ММ. ГГГГ»;

Для того, чтобы это сделать надо нaтиснуты правую клавишу мыши на рабочем столе Windows. Появится окно дополнительных команд Windows. Контекстное окно Windows Рис.8.2.1 В этом окне необходимо выбрать меню " Свойства «, а затем -» Настройка ". Окно «Свойства» закладка «Настройка» Рис.8.2.2 В подменю «Область экрана» нужно установить разрешение 1024 на 768 точек, «True Color» в подменю «Цветовая палитра» и кнопку подтверждения «ОК». Читать далее «Автоматизированная система управления технологическими процессами сушки древесины с использованием пк часть 3»