Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур» →

Y ASM = 240 в ал , (5.5) Если полученное значение меньше 20 Эрл, можно использовать ASM-240, если больше, необходимо уменьшить число АЛ включаемых. В этом случае количество абонентов, включаемых в один модуль ASM равна , (5.6) 1. Необходимое количество модулей ASM и RASM , (5.7) где N M — количество абонентов, включенных непосредственно в модуле ASM. 2. Для включения цифровых СЛ необходимо по одному модулю DNM на каждый 30 — канальный тракт ИКМ, т е (5.8) 3. Кроме этого на станции устанавливается по одному модулю ADM и CHM.

1. Общее количество модулей, подключаемых к модулю GSM равна

V ВСЕГО = V ASM + V RA SM + V DNM + V ADM + V C H M (5.9) Таблица 5.1 — Расчет необходимого количества модулей.

Станция V	РАТС 1.1	ВС-5.1	ВС-6.1	ВС-7.1	ВС-8.1
RASM	3	2	3	4	2
ASM	2	1	1	3	2
DNM	5	1	1	1	1
ADM	1	1	1	1	1
CHM	1	—	—	—	—
Всего	11	5	6	9	6

Читать далее «Si-2000 с анализом структурных характеристик ал часть 3» →

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур» →

В связи с отсутствием описания сайта на основе публикаций, у нас не было другого выбора, как самим протестировать найдены сайты и найти в них общие элементы, которые и будут считаться рекомендованными к использованию. Начнем с главной страницы. На каждом сайте, если характеризовать сверху вниз, присутствовала изначально картинка заголовок сайта, которая включала в себя URL-адрес и полное название сайта. Далее страница разбивалась условно на три поля, где слева и справа находилась общая информация, а по центу шло именно тематическое наполнение (текст и иллюстрации). Отличаются наши два сайта тем, что на MyRobot. ru к общей информации относились навигация, меню, дружественные сайты, голосования и реклама, а на относились короткие пометки о статьях, уже состарились так, чтобы их не держать по центру, но еще остаются относительно свежими. Все вопросы, связанные с информацией о проекте и др., В них решает меню, которая идет сразу же после картинки заголовка. Недостатки, которые сразу можно охарактеризовать, на это слишком мелкий шрифт, что значительно ухудшает чтения, и однообразные описания событий, значительно ухудшает восприятие прочитанного. Читать далее «Законы термодинамики и термодинамические величины (функции) системы» →

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени В. Стефаника в 2002—2003 годах Недавно созданная Галицкая археологическая экспедиция Прикарпатского университета имени Василия Стефаника, руководителем которой стал доцент кафедры всемирной истории, кандидат исторических наук Б. П.Томенчук, а научным консультантом выступает член-корреспондент НАН Украины , доктор исторических наук, профессор В. Д. Баран. Экспедиция Прикарпатья течение нескольких лет плодотворно сотрудничает с отделом археологии Национального заповедника «Древний Галич», Институтом археологии и Институтом украиноведения имени И. Крипякевича НАН Украины, Ивано-Франковским краеведческим музеем. В составе экспедиции действуют два отряда — Галицкий, который возглавляет доцент Б. П.Томенчук и Трипольский, которым управляют старший преподаватель кафедры историографии и источниковедения И. Т.Кочкин. В течение полевых сезонов 2002 и 2003 годов исследования проводили оба отряда экспедиции. Деятельность Трипольского отряда Галицкой экспедиции. Читать далее «Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника» →

Y ASM = 240 в ал , (5.5) Если полученное значение меньше 20 Эрл, можно использовать ASM-240, если больше, необходимо уменьшить число АЛ включаемых. В этом случае количество абонентов, включаемых в один модуль ASM равна , (5.6) 1. Необходимое количество модулей ASM и RASM , (5.7) где N M — количество абонентов, включенных непосредственно в модуле ASM. 2. Для включения цифровых СЛ необходимо по одному модулю DNM на каждый 30 — канальный тракт ИКМ, т е (5.8) 3. Кроме этого на станции устанавливается по одному модулю ADM и CHM.

1. Общее количество модулей, подключаемых к модулю GSM равна

V ВСЕГО = V ASM + V RA SM + V DNM + V ADM + V C H M (5.9) Таблица 5.1 — Расчет необходимого количества модулей.

Станция V	РАТС 1.1	ВС-5.1	ВС-6.1	ВС-7.1	ВС-8.1
RASM	3	2	3	4	2
ASM	2	1	1	3	2
DNM	5	1	1	1	1
ADM	1	1	1	1	1
CHM	1	—	—	—	—
Всего	11	5	6	9	6

Читать далее «Si-2000 с анализом структурных характеристик ал часть 3» →