Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Капитальный ремонт станка пм-3 часть 3

3. Испытания станка после ремонта. 3.1. Проверка на геометрическую точность и наладка машины. После ремонта важно технологической операцией является регулирование его частей для обеспечения правильного взаимодействия.





Что проверяется Метод проверки Отклонение, мм
допустимо фактическое
Прямолинейность образуючих роликов На цилиндрическом поверхность ролика вдоль контрольной линейки и его оси с мерного плитками. Зазор между роликом и линейкой замеряется щупом. 0,25 на длине 1000 мм




Что проверяется Метод проверки Отклонение, мм
допустимо фактическое
Радиальное биение роликов Индикатор устанавливается на станину так, чтобы его мерительный шлиф касался верхней части ролика. Ролик приводится в обороты. Измерение проводится посередине и по двум краям ролика. 0,15





Что проверяется Метод проверки Отклонение, мм
допустимо фактическое
Параллельность осей приводных роликов Штихмаслом замеряются расстояния между шейками смежных роликов 0 , 25 на длине 1000 мм.

Читать далее «Капитальный ремонт станка пм-3 часть 3»

Мучные кондитерские изделия (рефера)

Реферат Мучные кондитерские изделия Введение Мучные кондитерские изделия являются не отличающейся частью украинской кухни. Они имеют большое значение в питании человека. В современных условиях наряду с обеспечением высокого качества кондитерских изделий выдвигается настоятельная необходимость в расширении и обновлении их ассортимента. В поисках новых вкусовые свойства изделий, кроме внедрения новых оригинальных рецептов, можно применять различные сочетания уже существующих н / ф и сырья. Изделия из теста высококалорийные благодаря содержанию углеводов, жиров, белков, минеральных веществ и витаминов группы В, РР. А. Центральное место в кондитерском цехе принадлежит Кондору. От его квалификации, профессиональных навыков зависит качество изделий. Каждый кондитер должен иметь такие вкусовые ощущения и хорошее чувство запаха, умело сочетать вкусовые вещества в различных пропорциях для обеспечения приятного вкуса и аромата изделий. Также он должен помнить о санитарно-гигиенический режим его работы, весь инвентарь должен перед работой быть помыт и защищен от бактериального воздуха. Потому что от него зависит здоровье людей, которым он предлагает свои изделия. Кондитер при работе на любом кондитерском производстве должно также уметь самостоятельно класть рецептуру и технологическую карту тех или иных изделий, отрабатывать над разработкой и внедрением новых рецептов. Пояснительная часть 2.1. Читать далее «Мучные кондитерские изделия (рефера)»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур часть 2

5.1. 6 . Анализ сетевого графика и его оптимизация. Одним из первых шагов анализа построенного графика является просмотр топологии сети. При этом проверяется нумерация событий, установ-ся целесообразность выбора работ и структуры сети. Наряду с установ-лением лишних работ и проверкой целесообразности установленного уровня детализации должно рассматриваться вопрос о возможности параллель-ного производства работ, исходя из особенностей запланированного процесса и количества рабочих. Следующим шагом анализа сетевого графика производится его оптимизация. При этом решаются задачи по выявлению возможностей лучшего распределения трудовых видов ресурсов. После достижения необходимого срока разработки проводится оптимизация распределения ресурсов. Анализ календарного графика и диаграммы загрузки исполнителей показал на целесообразность дальнейшей оптимизации сетевого графика. Оптимизация проведена за счет использования свободных резервов времени (Rвij) путем их замены на рабочее время или частичной замены (разделения резерва). Результаты оптимизации диаграммы загрузки исполнителей приведены на рис. 2. 5.2. Определение затрат на выполнение НИР. Затраты на выполнение НИР разделяют на капитальные и текущие. 5.2.1. Капитальные затраты Таблица 5. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур часть 2»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Мотивационный потенциал персонала в контексте реализации требований международного стандарта

Мотивационный потенциал персонала в контексте реализации требований международного стандарта управления качеством ISO 9001 Для выхода отечественной продукции на международный рынок все больше украинских компаний внедряют и сертифицируют в себя системы управления качеством в соответствии с требованиями международного стандарта ISO 9001 "Система менеджмента качества. Требования ", ведь когда в 1987 Международная организация по стандартизации принимала эти стандарты, то провозгласила их в качестве стратегии устранения препятствий свободной торговли. Стандарт ISO 9001 базируется на восьми принципах менеджмента: • ориентация на потребителя; • лидерство; • привлечение работников; • подход с позиций процесса; • системный подход к менеджменту; • постоянное совершенствование; • подход к принятию решений на основе фактов; • взаимовыгодные отношения с поставщиками. Цель внедрения требований этого стандарта — получение конечного продукта, который бы удовлетворял требования потребителя, но объектом управления, прежде всего, становятся сотрудники. Поэтому на практике особое место в реализации восьми принципов менеджмента занимает привлечения работников профессионально выполняют свои обязанности и может наслаждаться-нет достигать цели организации, а именно, производить продукцию надлежащего качества. Работник однозначно должен видеть свое участие в реализации стратегии развития организации, осознавая зависимость от ее успеха своего благосостояния и личного прогресса. Читать далее «Мотивационный потенциал персонала в контексте реализации требований международного стандарта»