Исследование процесса напыления металлического контакта методом магнетрона распыления

Курсовая работа Исследование процесса напыления металлического контакта методом магнетрона распыления Реферат Пояснительная записка к дипломному проекту содержит страниц, 9 таблиц, 6 рисунков, 2 приложения, 12 источников. Объект проектирования — диод ДЛ553-2000. Метод проектирования — технологически расчетный. Дипломный проект состоит из четырех разделов.
трап под плитку

В общем разделе описаны общие сведения о приборе ДЛ 553-2000, литературный обзор по теме дипломного проекта и назначение операции напыления при использовании в полупроводниковом производстве. Технологический раздел содержит расчет параметров полупроводниковой структуры, определение последовательности операций, разработку комплекта технологической документации с использованием ЭВМ, методику и результаты эксперимента, характеристики оборудования, используемого на участке, требования вакуумной гигиены на участке напыления. В разделе организации и экономики производства проведен расчет трудоемкости изготовления прибора на операции напыления, количества рабочих мест, численности рабочих участка, годового фонда оплаты труда, в последнем разделе приведены технико-экономические показатели участка. Раздел четвертый это разработка вопросов по охране труда, техники безопасности, безопасности жизнедеятельности, противопожарных мероприятий и решения вопросов экологии на участке напилення. В современное время полупроводниковые приборы получили широкое применение в радиоэлектронике. Они используются в средствах связи, навигационной и радиолокационной аппаратуре, устройствах автоматики. С помощью полупроводниковых-видникових приборов можно решать целый ряд задач современной техники, получать малогабаритные, надежные и долговечные оборудования. Такое большое значение полупроводниковых приборов обусловлено наличием в них целого ряда преимуществ, таких как: — отсутствие старения материала при электронном механизме электропровод-ности; — малые габариты и масса приборов; простота и надежность конструкции. Качество полупроводниковых приборов в очень большом степени зависит от свойств полупроводникового элемента, который используется при их изготовлении. Освоение и изучение полупроводников требовало совместной работы физиков, химиков, технологов на протяжении несколько десятилетий. Достичь современного уровня полупроводниковой электроники стало возможным на основе высокого развития таких наук как физика твердого тела, химия, кристаллография, а также радиоэлектроника.