Исследование процесса напыления металлического контакта методом магнетрона распыления часть 3

Силовые полупроводниковые приборы выделились в особую группу полупроводниковых-видникових приборов со своими задачами и проблемами. Силовые полупроводниковые приборы занимают ведущее место в электро-технической промышленности и активно влияют на другие отрасли промышленности: ма-шинобудування, железнодорожный транспорт, энергетика, определяют научно-технический и социальный прогресс нашего государства. 1. Общий раздел 1.1 Краткие сведения о приборе ДЛ553 полупроводникового диода называется прибор с двумя выводами, принцип действия которого основан на использовании свойств электронно-дырочного перехода или поверхностного потенциального барьера кристалла полупроводника. Полупроводниковый диод лавинного типа — это диод, для рассеивания в течение ограниченного промежутка времени импульса мощности в области пробоя обратной ВАХ. Рисунок 1- Обратная характеристика лавинный пробой возникает в результате ударной ионизации нейтральных атомов кремния быстрыми носителями заряда при напряженности поля, недостаточных для разрыва ковалентной связи. Лавинные диоды изготавливаются, как правило, на основе кремния более высокого качества, чем обычные исправляя диоды. Основным достоинством лавинных диодов является то, что они позволяют существенно упростить элементы защиты от перегрузки в схемах преобразователей, особенно в случаях большого количества последовательного соединения диодов. Лавинные диоды с контролирующим пробоем используются в качестве активных элементов в стабилизаторах напряжения, а также и в качестве элементов защиты различных схем от импульсных перенапряжений. Общий вид диода типа ДЛ553 представлено на рисунке 2. Расстояние по воздуху между анодом и катодом не менее — 19мм. Длина пути для тока между электродами не менее — 30 мм. Масса диода не больше — 620г. Рисунок 2 Диод ДЛ553 Основные электрические параметры диода ДЛ553 представлены в таблицах 1-3. Таблица 1-Характеристика прибора ДЛ553

Наименование параметра ДЛ553-2000
Пробивное напряжение, В, при импульсном токе 1890 — 3150
100 мА, не менее
Повторюючийся импульсный обратный ток 50
мА, не более
Ударная обратная рассеиваемая мощность, кВт,
при продолжительности импульса 100мкс, при t перехода 16
160 С.
Ударный прямой ток, кА 33
Тепловое сопротивление переход-корпус, С / Вт 0,02
Ток термодинамической устойчивости корпуса, кА, при 75
тпривалости импульса 5,8 мс.
Защитный показатель термодинамической устойчивости кор 13,0 * 10
пуса, а с.
Температура перехода (min; max) С. -60 160
Рекомендуемый охладитель 0153 по ТУ16-729.377
 — max допустимый средний прямой ток диода 390
с охладителем и температуре окружающей
среды 40 С, а
 — тепловой сопротивление контакта диод — охладитель, С / Вт. 0,005
Таблица 2 Параметры прибора ДЛ553

Наименование параметра Значение параметра Обозначение
Максимально допустимый 1600
средний прямой ток 2000
при температуре корпуса 2000
850 С, а
Класс диода по импульса 1600 16
зворотньой напряжения, В не менее 1700 17
1800 18
1900 19
2000 20
2200 22
2400 24
2600 26
2800 28
* Импульсная прямое напряжение,
не больше (для класса) или
группа по параметрам ВАХ ---- — 1,80 (16 — 28)
в прямом направлении
Климатическое исполнение и
категория размещения УХЛ2, Т3 УХЛ2, Т3