Влияние легирования цинком на свойства моп-структур, купить мультиметр киев

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.
  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.
2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.
  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Подробнее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур, купить мультиметр киев»

Автоматизированная система управления технологическими процессами сушки древесины с использованием пк часть 2

6.4. Принцип работы системы В любом режиме работы системы, если включен контроллер С7-613, производится измерение температуры агента сушки по сухим (Тс) и увлажненным (Тз) термометрами, то есть с помощью термопреобразователей сопротивления ТСП 1088 и смачивающей системы реализован принцип дистанционного психрометра. В контроллере рассчитывается Психрометрический разница (Δ Т = Тс-Тз) и по алгоритму Психрометрический таблицы в зависимости от температуры (по сухому термометру) и Психрометрический разницы выбирается значение относительной влажности агента сушки FI. По эмпирическим формулам рассчитывается значение равновесной влажности древесины Wp. В любом режиме работы системы с помощью измерителя влажности древесины ИВ-3 (изготовитель УкрНДИМОД), работающий по принципу изменения омического сопротивления в зависимости от влажности древесины, выполняется текущее дистанционное измерение влажности в четырех штабелях сушилки. Для этого в плоскость доски на глубину 1/3 ее толщины на расстоянии 10 мм вкручиваются два шурупа так, чтобы электрический ток проходил вдоль волокон. Шурупы с помощью электрических проводников соединены с измерительной схемой. Таким образом, путем переключения система поочередно получает информацию о текущих влажность древесины в штабелях. При этом рассчитывается среднее значение по количеству датчиков, выбранных для контроля (максимально 4 шт.). Подробнее «Автоматизированная система управления технологическими процессами сушки древесины с использованием пк часть 2»

Исследование процесса напыления металлического контакта методом магнетрона распыления

Курсовая работа Исследование процесса напыления металлического контакта методом магнетрона распыления Реферат Пояснительная записка к дипломному проекту содержит страниц, 9 таблиц, 6 рисунков, 2 приложения, 12 источников. Объект проектирования — диод ДЛ553-2000. Метод проектирования — технологически расчетный. Дипломный проект состоит из четырех разделов. В общем разделе описаны общие сведения о приборе ДЛ 553-2000, литературный обзор по теме дипломного проекта и назначение операции напыления при использовании в полупроводниковом производстве. Технологический раздел содержит расчет параметров полупроводниковой структуры, определение последовательности операций, разработку комплекта технологической документации с использованием ЭВМ, методику и результаты эксперимента, характеристики оборудования, используемого на участке, требования вакуумной гигиены на участке напыления. В разделе организации и экономики производства проведен расчет трудоемкости изготовления прибора на операции напыления, количества рабочих мест, численности рабочих участка, годового фонда оплаты труда, в последнем разделе приведены технико-экономические показатели участка. Раздел четвертый это разработка вопросов по охране труда, техники безопасности, безопасности жизнедеятельности, противопожарных мероприятий и решения вопросов экологии на участке напилення. Подробнее «Исследование процесса напыления металлического контакта методом магнетрона распыления»

Мотивационный потенциал персонала в контексте реализации требований международного стандарта часть 2

Сама технология обнаружения этих факторов для каждого работника связана со специальным тестированием. Тест предложен Ричи Ш., Мартин П. в учебном пособии «Управление мотивацией». Когда работник отвечает на вопросы этого теста, он выражает свое мнение по поводу того, какой из приведенных выше факторов для него значимым другого из-за количества баллов. Результаты опроса можно выразить диаграммой. Для осуществления следующего этапа нужно выявить в ходе опроса степень удовлетворенности потребностей работников для каждого фактора. Для этого можно предложить степень удовлетворенности фактора разместить на шкале от 0 до 1 с шагом 0,1. При этом значение 0 — соответствует определению вполне недоволен, а 1 — вполне доволен. Для дальнейшего анализа, необходимые баллы, полученные в ходе специального тестирования, также перевести на шкалу от 0 до 1. Для этого максимальный балл принимается за 1, а остальные определяются через отношение к нему (см. Табл. 2) Таблица 2. Квалиметрические значение значимости факторов и их удовлетворенности













Номер фактора 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Значимость фактора (Ф) 0,7 0,3 0,3 0,7 0,4 0,9 0,9 0,7 0,9 0,8 1,0 0,8
Степень удовлетворенности © 0,5 1,0 1,0 1,0 1,0 0,7 0,7 1,0 0,5 0,5 0,6 0,9

Подробнее «Мотивационный потенциал персонала в контексте реализации требований международного стандарта часть 2»

Автоматизированная система управления технологическими процессами сушки древесины с использованием пк часть 5

Суть предложения заключается в особых принципах построения измерительно-информационного канала между объектом контроля и оператором (или компьютером автоматической системы управления). Этот канал включает в себя измерительные электроды или импедансный (емкостной, резистивный, индуктивный) датчик, с помощью которого параметр объекта контроля, измеряется, превращается в пассивную или активную электрическую величину, электронный мостовой измерительный блок, а также микропроцессорный контроллер для управления процессором измерения, математической обработки, передачи и регистрации полученной информации. Структура измерительно-информационного канала, алгоритм его работы, аппаратное и программное обеспечение являются унифицированными. Это позволяет осуществлять разработку на одной технологической базе, при минимальных аппаратных и программных модификациях, широкую гамму приборов различного назначения для использования с большинством существующих датчиков. Унификация и универсальность аппаратных и программных средств обеспечивает высокую серийноздатнисть и дешевизну разрабатываемой по данной технологии контрольно-измерительных приборов и информационно-измерительных систем, благодаря использованию измерительных сигналов переменного тока, формируемых и обрабатываемых с помощью цифровых и аналого-цифровых методов. Преимуществом предлагаемых технологий также: более высокая точность измерений, возможность удаленного подключения датчиков, применение дешевых электронных компонентов. Также положительной чертой компьютерного управления является то, что может работать в различных режимах, таких как:

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.
  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.
2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.
  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Подробнее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Исследование процесса напыления металлического контакта методом магнетрона распыления часть 4

Определяем программу запуска изделий Nзап; шт. Nзап. = Nвип. /Кв. г. , (13) где Nвип — годовая программа выпуска изделий; шт. Кв. г. — Коэффициент выхода годных. Nзап. = 3000 / 0,92 = 3261 Определяем трудоемкость годового объема производства по операциям Тзап Тзап = (tшт * Nзап) / 100 (14) где tшт — норма времени на изготовление 1 изделия, ч. Тзап = (0,45 * 3261) / 100 = 14,7 Результаты расчета приведены в приложении А (таблица А1). Вычисляем общую трудоемкость годового объема производства за операция-ми Тобщ. Тобщ. = Тдов. + Тзап (15) где Т дов. — Трудоемкость подкачки операции до нормативного коэффициента, которая определяется по формуле: Т дов = (Fеф — Тзап) * К, (16) где К — коэффициент подкачки (0,8 — 0,95); Fеф — эффективный фонд времени работы оборудования, который определяется по формуле: Fеф = * Крем * h, (17) где Дк-Дв-ДСВ — дни календарные, выходные; tзм — продолжительность смены, 8:00; tп. св — количество часов перед праздничных сокращений рабочего дня, ч; Крем — коэффициент ремонта оборудования (0,88 — 0,96); h — количество смен в сутки. Fеф = * 0,9 * 1 = 1804 Тдов = (1804 — 14,7) * 0,8 = 1431 Тобщ = 1431 + 14,7 = 1446,7 Определяем расчетное количество рабочих мест врозь, шт. врозь = Тобщ / (Fеф * КВН), (18) врозь = 1446 / (1804 * 1) = 0,8 Вычисляем коэффициент загрузки оборудование Кз = врозь / Вприйн (19) где Вприйн — принятое количество рабочих мест по операции, шт. Кз = 0,8 / 1 = 0,8 Трудоемкость, количество рабочих мест, коэффициент загрузки оборудования предоставлено в таблице А2 приложение А. 3.2 Расчет численности работников участка Потребность в кадрах планируется по программе выпуска на данном предприятии. Подробнее «Исследование процесса напыления металлического контакта методом магнетрона распыления часть 4»

Автоматизированная система управления технологическими процессами сушки древесины с использованием пк часть 3

Определить породу древесины, измерить геометрические размеры пиломатериала, определиться с требованиями к категории качества сушки, задать конечную влажность древесины Wк. На основании производственного опыта или согласно рекомендациям стандарта ГОСТ 19773-84 «Режимы сушки в камерах периодического действия» определить режимные параметры агента сушки, время прогрева, время промежуточной, конечной вологотеплообробкы и выдержки. Определиться с коэффициентом сушки: задать новые, исходя из опыта сушки в конкретной камере, или принять расчетные, определяемых автоматически контроллером. Вышеуказанные исходные данные и режимные параметры ввести в контроллер с ОС или с помощью текстовой панели С7-613 так, как это описано выше.
  1. Подготовка операционной системы к работе
Первым этапом в подготовке операторской станции к работе является настройка операционной системы. Для правильной работы пpиклaднoгo пpoгрaмногo обеспечение i эффективного отображения мнемонических схем необходимо установить следующие параметры:
  • разделительная разрешение 1024 на 786 точек;
  • цветовая палитра «True Color»;
  • формат короткого представления даты «ДД. ММ. ГГГГ»;

Для того, чтобы это сделать надо нaтиснуты правую клавишу мыши на рабочем столе Windows. Появится окно дополнительных команд Windows. Контекстное окно Windows Рис.8.2.1 В этом окне необходимо выбрать меню " Свойства «, а затем -» Настройка ". Окно «Свойства» закладка «Настройка» Рис.8.2.2 В подменю «Область экрана» нужно установить разрешение 1024 на 768 точек, «True Color» в подменю «Цветовая палитра» и кнопку подтверждения «ОК». Подробнее «Автоматизированная система управления технологическими процессами сушки древесины с использованием пк часть 3»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.
  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.
2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.
  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Подробнее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»