Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени В. Стефаника в 2002—2003 годах Недавно созданная Галицкая археологическая экспедиция Прикарпатского университета имени Василия Стефаника, руководителем которой стал доцент кафедры всемирной истории, кандидат исторических наук Б. П.Томенчук, а научным консультантом выступает член-корреспондент НАН Украины , доктор исторических наук, профессор В. Д. Баран. Экспедиция Прикарпатья течение нескольких лет плодотворно сотрудничает с отделом археологии Национального заповедника «Древний Галич», Институтом археологии и Институтом украиноведения имени И. Крипякевича НАН Украины, Ивано-Франковским краеведческим музеем. В составе экспедиции действуют два отряда — Галицкий, который возглавляет доцент Б. П.Томенчук и Трипольский, которым управляют старший преподаватель кафедры историографии и источниковедения И. Т.Кочкин. В течение полевых сезонов 2002 и 2003 годов исследования проводили оба отряда экспедиции. Деятельность Трипольского отряда Галицкой экспедиции. Читать далее «Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника»

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени В. Стефаника в 2002—2003 годах Недавно созданная Галицкая археологическая экспедиция Прикарпатского университета имени Василия Стефаника, руководителем которой стал доцент кафедры всемирной истории, кандидат исторических наук Б. П.Томенчук, а научным консультантом выступает член-корреспондент НАН Украины , доктор исторических наук, профессор В. Д. Баран. Экспедиция Прикарпатья течение нескольких лет плодотворно сотрудничает с отделом археологии Национального заповедника «Древний Галич», Институтом археологии и Институтом украиноведения имени И. Крипякевича НАН Украины, Ивано-Франковским краеведческим музеем. В составе экспедиции действуют два отряда — Галицкий, который возглавляет доцент Б. П.Томенчук и Трипольский, которым управляют старший преподаватель кафедры историографии и источниковедения И. Т.Кочкин. В течение полевых сезонов 2002 и 2003 годов исследования проводили оба отряда экспедиции. Деятельность Трипольского отряда Галицкой экспедиции. Читать далее «Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника»

Исследование процесса напыления металлического контакта методом магнетрона распыления часть 2

При работе с газами запрещается: — работать с негерметичной газовой системой; — пользоваться вентилями с неисправной резьбой; — курить вблизи газовой системы; — обслуживать газовую систему руками, инструментом и одеждой, что замазаны. К работе с газами допускаются лица, достигшие 18 лет и прошедшие инструктаж по технике безопасности. Газовые системы должны быть удалены от электрокоммуникаций и других источников возможного искрообразования на расстояние 0,5 1,5 метров. Читать далее «Исследование процесса напыления металлического контакта методом магнетрона распыления часть 2»

Законы термодинамики и термодинамические величины (функции) системы часть 3

Если первый закон термодинамики называют законом сохранения энергии , то второй — законом изменения энтропии . Теория термодинамики показывает, что изменение энтропии системы равен отношению энергии, передаваемой (изотермически) в форме теплоты q , в абсолютной температуры T , что можно записать уравнением: или. (1) Поэтому размерность энтропии составит L2MT-2 -1, а единица. Для каждого вещества вычислено значение стандартной молярной энтропии в отношении 25 ° С (см. Табл. 13). Из уравнения (1) следует, что в произвольных процессах увеличение поглощения системой энергии при определенной температуре (и снижения последней) приводит к большей неупорядоченности (увеличение энтропии), и наоборот. Читать далее «Законы термодинамики и термодинамические величины (функции) системы часть 3»

Аппараты для прессования в пищевой промышленности

Реферат на тему Аппараты для прессования в пищевой промышленности Сущность и назначение прессования Прессованием называется процесс обработки материалов внешним давлением, под действием которого происходит изменение их свойств. Прессования используется как для создания однородных систем, так и для их разделения. Различают следующие виды прессования: отжима, формирования (штамповки), собственно прессования (брикетирование), экструзия. отжима — это процесс отделениях жидкости от вологомистких продуктов. Используется для отделения жидкостей как более ценного компонента (получение соков), так и менее ценного компонента (отделениях сыворотки от творога). Формирование (штамповки) — это процесс придания продукту определенной геометрической формы. Собственно прессования (брикетирование) — это процесс, который предназначен для уплотнения сыпучих материалов или каких-либо разрозненных частиц в плотные агрегаты с помощью связующих жидкостей и соответствующего давления. Экструзия — это процесс протискання материала через профилирующие головки при соответствующих температуре и давлении с предоставлением продукта необходимой формы. Полученные при этом продукты имеют повышенные питательные свойства, меньшую плотность, большую гигроскопичность и хрупкость. На эффективность процесса прессования влияют различные факторы: 1. Величина давления. С увеличением давления скорость процесса повышается. Читать далее «Аппараты для прессования в пищевой промышленности»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Использование полупроводников в электронике прошло долгий путь — от первого детектора на кристалле сульфида свинца и современной микро ЭВМ, выполненную на кремниевой пластине площадью менее 1 см2. Такой результат достигнут благодаря успехам технологии, которая, в свою очередь, опирается на физическую электронику. В наши дни развитие электроники непрерывно стимулируется успехами в области физики полупроводников и в области технологии производства новых напивпровиднкових структур и объединение их в большие интегральные схемы (БИС). Повышение степени интеграции БИС и связанная с этим реализация предельных размеров элементов и, соответственно, предельных значений параметров требует качественного совершенствования практически всех технологических процессов создания схем. В частности, процесс окисления должен совершенствоваться в направлении уменьшения толщины и дефектности слоя оксида. Переход от топологической нормы 2 мкм до 0.5мкм требует уменьшения толщины оксида от 0.4-0.8 до 0.1 -0.4 мкм, а его пористости от 10 до 1 см-2. Из сказанного очевидно, что производство больших и сверхбольших ИМ представит повышенные требования к качеству исходных материалов. В то же время, сохранить свойства даже идеального слитка в реальном технологическом процессе невозможно, так как в кремний вносятся примеси и возникают дефекты. Чтобы уменьшить влияние этих примесей и дефектов на параметры и надежность микросхем, в технологические маршруты вводят специальные операции геттерирования, благодаря чему удается сохранить качество рабочих областей прибора на заданном уровне. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»