Автоматизированная система управления технологическими процессами сушки древесины с использованием пк часть 6

  • Автоматическая регулировка температуры агента сушки по сухим и увлажненным термометрами с использованием стандартных ПИД-алгоритмов;
  • Управление циркуляционными вентиляторами с реверсированием направления циркуляции через заданное время (по умолчанию 1:00). При этом выполняется вынужденная задержка до полной остановки вентиляторов, и только после этого они могут включаться снова в другом направлении вращения;
  • индикацию на текстовой панели направлении циркуляции агента сушки в сушилке, а также состояние каждого из вентиляторов: работает / не работает;
  • Введение установок параметров, чтобы задать исходные условия сушки: породу древесины, толщину, ширину пиломатериала, начальную и конечную влажность древесины, режимные параметры агента сушки, а также коэффициенты сушки по этапам. При этом введение установок возможно в любой момент процесса сушки.

Примечание: Исходные данные и режимные параметры задаются ответственным лицом за процесс сушки, например, оператором-технологом сушильного хозяйства;

  • Запуск процесса сушки после введения установок или его остановку на любом этапе сушки нажатием соответствующих клавиш на текстовой панели;

Изготовление мужского костюма и головного убора часть 3

продолжение

Охрана труда Физиология труда Это раздел физиологии человека и гигиены труда, изучающий влияние трудовой деятельности и условий труда на физиологические функции человека. Опыты по физиологии труда проводятся во время работы и вне ее и включают хронометраж трудовых процессов и отдыха, регистрацию работы сердца и мышц, мозга, ритма дыхания, оценку изменения работоспособности при кратковременных дозированных и длительных по времени различных физических и психических нагрузок. Современными проблемами физиологии труда является диагностика и прогноз работоспособности, напряженности и усталости, изучение физиологических механизмов обучения и адаптации к труду с целью разработки физиологических принципов и критериев рациональных режимов труда и отдыха, профессиональной ориентации и отбора. Их решение направлено на сохранение здоровья и обеспечение эффективности труда. Чрезмерные физические и психологические нагрузки в случае нарушений режимов труда и отдыха приводят к усталости организма. Отсутствие отдыха приводит к временным, а впоследствии и устойчивых патологических нарушений, которые могут стать причиной различных, часто серьезных профессиональных заболеваний. Рабочим и служащим предоставляется перерыв для отдыха и питания в течение не более 2-х часов, не входит в рабочее время. продолжение продолжение Специальными нормативными актами для некоторых категорий работников установлены дополнительные перерывы для отдыха, которые входят в рабочее время и соответствующим образом оплачиваются (в отличие от основной обеденного перерыва). Читать далее «Изготовление мужского костюма и головного убора часть 3»

Апериодический усилитель непрерывных колебаний

Апериодический усилитель непрерывных колебаний Содержание 1. Особенности пидстлювачив с ВБ, СК и сравнительный анализ схем (каскадов) усиление 2. Сравнительная оценка схем СЭ, ВБ, СК 3. Особенности усилителей на униполярном транзисторе и усилителей мощности на БТ 4. Особенности усилителей на БТ 5. Назначение элементов схемы 6. Работа схемы 1. Особенности пидстлювачив с ВБ, СК и сравнительный анализ схем (каскадов) усиление Схема с СК (эмиттерный повторитель; повторитель напряжения). Типичная схема ЭП изображена на рис. 2.1. Рис 2.2 Элементы Rб1, Rб2, Rе обеспечивают нужный режим работы по постоянному току и его стабилизацию; Rе нагружает цепь эмиттера и служит для выделения усиленного сигнала является одновременно сопротивлением ОВС по переменному току. ф — зьеднуе коллектор по переменному току с общим проводом. Особенностью данного каскада, определяющей все его свойства является то, что напряжение усиленного сигнала, созданная на Rе переменным током эмиттера Urе, полностью совпадает по фазе с входным сигналом (см. Рис.2.2.), Напряжение Uбе будет уровня разности напряжений входного сигнала и Urе (выходного сигнала). Uбе = Uвх — Urе ≈ Uвх-U вых То есть в схеме ЭП действует 100% ОВС по переменному току, который и определяет основные характеристики данного усилителя. Читать далее «Апериодический усилитель непрерывных колебаний»

Законы термодинамики и термодинамические величины (функции) системы

В связи с отсутствием описания сайта на основе публикаций, у нас не было другого выбора, как самим протестировать найдены сайты и найти в них общие элементы, которые и будут считаться рекомендованными к использованию. Начнем с главной страницы. На каждом сайте, если характеризовать сверху вниз, присутствовала изначально картинка заголовок сайта, которая включала в себя URL-адрес и полное название сайта. Далее страница разбивалась условно на три поля, где слева и справа находилась общая информация, а по центу шло именно тематическое наполнение (текст и иллюстрации). Отличаются наши два сайта тем, что на MyRobot. ru к общей информации относились навигация, меню, дружественные сайты, голосования и реклама, а на относились короткие пометки о статьях, уже состарились так, чтобы их не держать по центру, но еще остаются относительно свежими. Все вопросы, связанные с информацией о проекте и др., В них решает меню, которая идет сразу же после картинки заголовка. Недостатки, которые сразу можно охарактеризовать, на это слишком мелкий шрифт, что значительно ухудшает чтения, и однообразные описания событий, значительно ухудшает восприятие прочитанного. Читать далее «Законы термодинамики и термодинамические величины (функции) системы»

Анализ и перспективы разработки и эксплуатации гриневская газового месторождения

Как видно из таблицы 2.1, на месторождении используют индивидуальные шлейфы скважин с диаметрами 76мм, 89мм, 108мм, 114мм. Диаметр колектора — 135мм. Скважина 9 масс индивидуальный пункт очистки и замера газа. На территории промысла расположены газораспределительные станции ГРС-1 и ГРС-2. На них осуществляется распределение газа между коммунально-бытовыми и промышленными потребителями. Газ с месторождения подается на м. Калуш, на села Новица, Добровляны, Сивка, Бережниця и другим потребителям. Как уже было отмечено выше из месторождение проходит магистральный газопровод Угерское — Ивано-Франковск. 2.2.Гидравлический и температурный режимы работы выкидных линий скважин. В таблице 2.2 приведены основные показатели, характеризующие гидравлический и температурный режимы работы выкидных линий скважин давление на устье, давление па входе в УКПГ, температуры на устье и на входе в УКПГ. Таблица 2.2. Давления и температуры на устьях скважин и на входе в УКПГ. Читать далее «Анализ и перспективы разработки и эксплуатации гриневская газового месторождения»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»