Si-2000 с анализом структурных характеристик ал часть 3

Y ASM = 240 в ал , (5.5) Если полученное значение меньше 20 Эрл, можно использовать ASM-240, если больше, необходимо уменьшить число АЛ включаемых. В этом случае количество абонентов, включаемых в один модуль ASM равна , (5.6) 1. Необходимое количество модулей ASM и RASM , (5.7) где N M — количество абонентов, включенных непосредственно в модуле ASM. 2. Для включения цифровых СЛ необходимо по одному модулю DNM на каждый 30 — канальный тракт ИКМ, т е (5.8) 3. Кроме этого на станции устанавливается по одному модулю ADM и CHM.

  1. Общее количество модулей, подключаемых к модулю GSM равна

V ВСЕГО = V ASM + V RA SM + V DNM + V ADM + V C H M (5.9) Таблица 5.1 — Расчет необходимого количества модулей.







Станция V РАТС 1.1 ВС-5.1 ВС-6.1 ВС-7.1 ВС-8.1
RASM 3 2 3 4 2
ASM 2 1 1 3 2
DNM 5 1 1 1 1
ADM 1 1 1 1 1
CHM 1  —  —  —  —
Всего 11 5 6 9 6

Читать далее «Si-2000 с анализом структурных характеристик ал часть 3»

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени В. Стефаника в 2002—2003 годах Недавно созданная Галицкая археологическая экспедиция Прикарпатского университета имени Василия Стефаника, руководителем которой стал доцент кафедры всемирной истории, кандидат исторических наук Б. П.Томенчук, а научным консультантом выступает член-корреспондент НАН Украины , доктор исторических наук, профессор В. Д. Баран. Экспедиция Прикарпатья течение нескольких лет плодотворно сотрудничает с отделом археологии Национального заповедника «Древний Галич», Институтом археологии и Институтом украиноведения имени И. Крипякевича НАН Украины, Ивано-Франковским краеведческим музеем. В составе экспедиции действуют два отряда — Галицкий, который возглавляет доцент Б. П.Томенчук и Трипольский, которым управляют старший преподаватель кафедры историографии и источниковедения И. Т.Кочкин. В течение полевых сезонов 2002 и 2003 годов исследования проводили оба отряда экспедиции. Деятельность Трипольского отряда Галицкой экспедиции. Читать далее «Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Si-2000 с анализом структурных характеристик ал часть 3

Y ASM = 240 в ал , (5.5) Если полученное значение меньше 20 Эрл, можно использовать ASM-240, если больше, необходимо уменьшить число АЛ включаемых. В этом случае количество абонентов, включаемых в один модуль ASM равна , (5.6) 1. Необходимое количество модулей ASM и RASM , (5.7) где N M — количество абонентов, включенных непосредственно в модуле ASM. 2. Для включения цифровых СЛ необходимо по одному модулю DNM на каждый 30 — канальный тракт ИКМ, т е (5.8) 3. Кроме этого на станции устанавливается по одному модулю ADM и CHM.

  1. Общее количество модулей, подключаемых к модулю GSM равна

V ВСЕГО = V ASM + V RA SM + V DNM + V ADM + V C H M (5.9) Таблица 5.1 — Расчет необходимого количества модулей.







Станция V РАТС 1.1 ВС-5.1 ВС-6.1 ВС-7.1 ВС-8.1
RASM 3 2 3 4 2
ASM 2 1 1 3 2
DNM 5 1 1 1 1
ADM 1 1 1 1 1
CHM 1  —  —  —  —
Всего 11 5 6 9 6

Читать далее «Si-2000 с анализом структурных характеристик ал часть 3»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника

Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени В. Стефаника в 2002—2003 годах Недавно созданная Галицкая археологическая экспедиция Прикарпатского университета имени Василия Стефаника, руководителем которой стал доцент кафедры всемирной истории, кандидат исторических наук Б. П.Томенчук, а научным консультантом выступает член-корреспондент НАН Украины , доктор исторических наук, профессор В. Д. Баран. Экспедиция Прикарпатья течение нескольких лет плодотворно сотрудничает с отделом археологии Национального заповедника «Древний Галич», Институтом археологии и Институтом украиноведения имени И. Крипякевича НАН Украины, Ивано-Франковским краеведческим музеем. В составе экспедиции действуют два отряда — Галицкий, который возглавляет доцент Б. П.Томенчук и Трипольский, которым управляют старший преподаватель кафедры историографии и источниковедения И. Т.Кочкин. В течение полевых сезонов 2002 и 2003 годов исследования проводили оба отряда экспедиции. Деятельность Трипольского отряда Галицкой экспедиции. Читать далее «Итоги работы галицкой археологической экспедиции прикарпатского университета имени в. стефаника»

Влияние легирования цинком на свойства моп-структур

Министерство образования и науки УКРАИНЫ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "Львовская политехника " Институт телекоммуникаций, радиоэлектроники и электронной техники Кафедра полупроводниковой электроники Курсовая работа Влияние легирования цинком на свойства МОП-структур. Выполнил: Студент группы ФБЭ-61 Ревула Р. Л. Научный руководитель: старший преподаватель., Логуш А. И. Консультант по экономической части: доц. Мороз Л. Г. Консультант по охране труда доц. Яцюк Р. А. ЛЬВОВ-2002 Содержание Введение 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 1.1. Методы выращивания пленок термического SiO2. 1.2. Основные свойства диоксида кремния и границ раздела с полупроводником и металлом.

  1. . Геттерирования дефектов в технологии полупроводниковых приборов.

2. Методика эксперимента 2.1. Методика выращивания пленок термического SiO2 с одновременным легированием в процессе роста. 2.2. Определение параметров технологического процесса.

  1. Методика исследования дефектности диэлектрических пленок.

2.4. Методика измерения характеристик систем Si-SiO2. 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. 3.1. Исследование пористости пленок термического SiO2. 3.2 Взаимосвязь структурного совершенства монокристаллической кремниевой подложки и пливокSiO2 ... 3.3. Гетеруюча действие цинка. Читать далее «Влияние легирования цинком на свойства моп-структур»

Si-2000 с анализом структурных характеристик ал часть 3

Y ASM = 240 в ал , (5.5) Если полученное значение меньше 20 Эрл, можно использовать ASM-240, если больше, необходимо уменьшить число АЛ включаемых. В этом случае количество абонентов, включаемых в один модуль ASM равна , (5.6) 1. Необходимое количество модулей ASM и RASM , (5.7) где N M — количество абонентов, включенных непосредственно в модуле ASM. 2. Для включения цифровых СЛ необходимо по одному модулю DNM на каждый 30 — канальный тракт ИКМ, т е (5.8) 3. Кроме этого на станции устанавливается по одному модулю ADM и CHM.

  1. Общее количество модулей, подключаемых к модулю GSM равна

V ВСЕГО = V ASM + V RA SM + V DNM + V ADM + V C H M (5.9) Таблица 5.1 — Расчет необходимого количества модулей.







Станция V РАТС 1.1 ВС-5.1 ВС-6.1 ВС-7.1 ВС-8.1
RASM 3 2 3 4 2
ASM 2 1 1 3 2
DNM 5 1 1 1 1
ADM 1 1 1 1 1
CHM 1  —  —  —  —
Всего 11 5 6 9 6

Читать далее «Si-2000 с анализом структурных характеристик ал часть 3»

Si-2000 с анализом структурных характеристик ал часть 3

Y ASM = 240 в ал , (5.5) Если полученное значение меньше 20 Эрл, можно использовать ASM-240, если больше, необходимо уменьшить число АЛ включаемых. В этом случае количество абонентов, включаемых в один модуль ASM равна , (5.6) 1. Необходимое количество модулей ASM и RASM , (5.7) где N M — количество абонентов, включенных непосредственно в модуле ASM. 2. Для включения цифровых СЛ необходимо по одному модулю DNM на каждый 30 — канальный тракт ИКМ, т е (5.8) 3. Кроме этого на станции устанавливается по одному модулю ADM и CHM.

  1. Общее количество модулей, подключаемых к модулю GSM равна

V ВСЕГО = V ASM + V RA SM + V DNM + V ADM + V C H M (5.9) Таблица 5.1 — Расчет необходимого количества модулей.







Станция V РАТС 1.1 ВС-5.1 ВС-6.1 ВС-7.1 ВС-8.1
RASM 3 2 3 4 2
ASM 2 1 1 3 2
DNM 5 1 1 1 1
ADM 1 1 1 1 1
CHM 1  —  —  —  —
Всего 11 5 6 9 6

Читать далее «Si-2000 с анализом структурных характеристик ал часть 3»

Гипермедиа и мультимедиа технологии часть 3

говоря о емкости узлов, можно начать с основной части, а именно с того, что сложную информацию лучше усваивать небольшими порциями, тщательно перемешивая ее с графикой, не только удержит пользователя, но и поднимет его уровень усвоения материала. В этом случае можно добавить, что даже если нашей информацией не заинтересуются, то есть возможность задержать, а в дальнейшем и заинтересовать изложенными красивыми иллюстрациями и пояснениями к ним (особенно если мы имеем дело с младшим поколением). По практической части, то сам факт использования видео говорит о среднем емкость узлов. Читать далее «Гипермедиа и мультимедиа технологии часть 3»